HR-Vとは 意味・読み方・使い方

In such a case, when the temperature gradient of the vertical direction in the platinum crucible 20 is made to be G°C/mm, the moving speed of the platinum crucible 20 is made to be V mm/hr and the cooling speed in the furnace 10 is made to be C°C/hr, the following relation is satisfied; C/G+V≤5.例文帳に追加

この場合、白金製るつぼ２０内の垂直方向の温度勾配をＧ（℃／ｍｍ）とし、白金製るつぼ２０の移動速度をＶ（ｍｍ／時間）とし、加熱炉１０内の冷却速度をＣ（℃／時間）としたときに、Ｃ／Ｇ＋Ｖ≦５とする。 - 特許庁

The reaction rate is obtained from the expression (1): reaction rate (hr^-1)=(100-V-Y)/(100×T). Wherein V represents the volatile content (weight%) included in a carbon material, Y represents a yield (weight%) and T an activation time (hr).例文帳に追加

炭素質材料を、温度９００℃以上かつ８時間以上で保持して、かつ、反応速度０．０６ｈｒ^−１以下でガス賦活処理を施すことを特徴とする活性炭の製造方法であり、該反応速度が、式（１）： 反応速度（ｈｒ^−１）＝（１００−Ｖ−Ｙ）／（１００×Ｔ） （１）（式中、Ｖは炭素質材料に含まれる揮発分の含有量（重量％）、Ｙは収率（重量％）、Ｔは賦活時間（ｈｒ）を示す。）で算出される値である。 - 特許庁

In a positive electrode for a lithium secondary battery, a positive electrode active material includes olivine-type lithium iron phosphate, and an average dropping speed of a discharge potential measured by the following conditions is 0.3 V/Hr or higher.例文帳に追加

正極活物質がオリビン型リン酸鉄リチウムからなるリチウム二次電池用正極であって、下記条件で測定した放電電位降下平均速度が０．３Ｖ／Ｈｒ以上であることを特徴とするリチウム二次電池用正極。 - 特許庁

In the MOVPE method there is obtained a growth speed of 10 μm/Hr or higher by lowering the group V/III ratio under a definite condition, and by applying this to the growth of an A surface nitride-based semiconductor layer on an R surface sapphire substrate, an application to a light emitting element and an electronic device using the A surface nitride-based semiconductor is executed.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でV／III比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをＲ面サファイア基板上のＡ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、Ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子デバイスへの応用を行う。 - 特許庁

In the surface treatment method for aluminum or an aluminum alloy, in an aqueous solution of an alkali metal salt having a concentration of ≥0.01 mol/L, energizing is performed using an aluminum or aluminum material as an anode in such a manner that voltage is controlled to ≥10 V and electric quantity is controlled to 1.5 to 9.0 A×hr/dm^2, and etching is performed.例文帳に追加

本発明に係るアルミニウム又はアルミニウム合金の表面処理方法は、濃度０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上のアルカリ金属塩の水溶液中で、アルミニウム又はアルミニウム合金材を陽極として電圧１０Ｖ以上で電気量１．５〜９．０Ａ・ｈｒ／ｄｍ^２ を通電し、エッチングすることを特徴とする。 - 特許庁

A growth speed of 10 μm/Hr or over is obtained by decreasing a V/III ratio under a prescribed condition by the MOVPE method, and this is applied to the growth of an a-plane nitride group semiconductor layer on an r-plane sapphire substrate so as to apply the growth method to a light emitting element and an electron transit element using the a-plane nitride group semiconductor.例文帳に追加

ＭＯＶＰＥ法において一定条件下でＶ／ＩＩＩ比を下げることにより、１０μｍ／Ｈｒ以上の成長速度が得られ、またこれをr面サファイア基板上のａ面窒化物系半導体層の成長に適用することにより、ａ面窒化物系半導体を用いた発光素子および電子走行素子への応用を行うこと。 - 特許庁