L-Siとは 意味・読み方・使い方

The two-dimensional optical beam deflector 100 includes a deflection element 10 which contains resin and deflects light L in one direction and a deflection element 50 which contains Si and deflects light L in other direction.例文帳に追加

２次元光偏向器１００は、樹脂を含み光Ｌを一方向に偏向する偏向素子１０とＳｉを含み光Ｌを他方向に偏向する偏向素子５０とを備える。 - 特許庁

When the molar concentration of silicon (mol/L) of the alkali silicate infiltrating material is designated as [Si] and the molar concentration of calcium (mol/L) of the aqueous solution of calcium nitrate is designated as [Ca], the aqueous solution of calcium nitrate is regulated to have a molar concentration ratio [Ca]/[Si] of 0.15-2.0.例文帳に追加

前記硝酸カルシウム水溶液は、前記アルカリ珪酸塩浸透材における珪素のモル濃度（モル／Ｌ）を［Ｓｉ］、前記硝酸カルシウム水溶液におけるカルシウムのモル濃度（モル／Ｌ）を［Ｃａ］としたとき、モル濃度比［Ｃａ］／［Ｓｉ］が０．１５乃至２．０となるものである。 - 特許庁

The conversion treatment solution for subjecting a magnesium alloy to the conversion treatment contains phosphoric acid of 4 g/l or more in terms of PO_4, calcium compound of 0.8 g/l or more in terms of Ca and silicon compound of 1g/l or more in terms of Si.例文帳に追加

マグネシウム合金を化成処理するための化成処理液であって、ＰＯ_4 換算で４ｇ／リットル以上のリン酸と、Ｃａ換算で０．８ｇ／リットル以上のカルシウム化合物と、Ｓｉ換算で１ｇ／リットル以上のケイ素化合物とを含有した化成処理液。 - 特許庁

A molten metal pouring tube 24 feeding the molten metal L of an Al-Si based alloy to the inside of a cylindrical die 12 is surrounded by four bar-shaped heaters 26.例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ系合金の溶湯Ｌを円筒状金型１２の内部に供給する注湯管２４は、４本の棒状ヒータ２６によって囲繞されている。 - 特許庁

When a control signal SET is at an L level, the gate of a first transistor QM that is an a-Si TFT is biased at a supply voltage VDDA.例文帳に追加

制御信号ＳＥＴがＬレベルにあるとき、ａ−ＳｉＴＦＴである第１トランジスタＱＭのゲートは電源電圧ＶＤＤＡでバイアスされる。 - 特許庁

By applying shock from outside after the bonding process, Si-Si bonds inside the ion implanted layer 11 are cut to automatically peel off a single crystal silicon thin film along the crystal plane at a position corresponding to the predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface of the single crystal Si substrate 10.例文帳に追加

このような接合工程の後、外部から衝撃を加えることでイオン注入層１１内でのＳｉ−Ｓｉ結合を切り、単結晶Ｓｉ基板１０の表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に相当する位置の結晶面に沿って単結晶シリコン薄膜を機械的に剥離する。 - 特許庁

Next, the molten metal L of an Al-Si based alloy such as an Al-23% Si based alloy is introduced into the inner circumferential wall side of the external cylindrical molded body 14 while rotating the cylindrical die 22, so as to form an internal cylindrical cast body.例文帳に追加

次に、円筒状金型２２を回転させながら外側円筒形状成形体１４の内周壁側にＡｌ−２３％Ｓｉ系合金等のＡｌ−Ｓｉ系合金の溶湯Ｌを導入して、内側円筒形状鋳造体を形成する。 - 特許庁

On the surface side (bonding face side) of a single crystal Si substrate 10, a uniformed ion implanted layer 11 is formed in a predetermined depth (average ion implantation depth L) near the surface.例文帳に追加

単結晶Ｓｉ基板１０の表面側（接合面側）には、表面近傍の所定の深さ（平均イオン注入深さＬ）に均一なイオン注入層１１が形成される。 - 特許庁