MIS-Cとは 意味・読み方・使い方

The nonvolatile memory cells MC have a MIS FETQW for writing data, a MIS FETQR for reading data, and a capacity C.例文帳に追加

不揮発性メモリセルＭＣは、データ書き込み用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＷと、データ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲと、容量部Ｃとを有している。 - 特許庁

Gate electrodes GW, GR of the MIS FETQW and the MIS FETQR, and the capacity electrode CE of the capacity C, are constituted of a part of the same floating gate electrode FG.例文帳に追加

このＭＩＳ・ＦＥＴＱＷ，ＱＲのゲート電極ＧＷ，ＧＲおよび容量部Ｃの容量電極ＣＥは、同じ浮遊ゲート電極ＦＧの一部で構成されている。 - 特許庁

By comparing this ideal C-V characteristic and an actual measurement result of the C-V characteristic of a MIS capacitor to be evaluated, the interface level density, etc., can be efficiently evaluated.例文帳に追加

この理想Ｃ−Ｖ特性と、評価すべきＭＩＳキャパシタのＣ−Ｖ特性の実測結果とを比較して、効率よく界面準密度等を評価することができる。 - 特許庁

In some embodiments, the nuclear layer is formed on the surface of a wurtzite substrate mis-cut from the c-plane of the substrate.例文帳に追加

幾つかの実施形態において、核形成層は、基板のｃ−面からミスカットされたウルツ鉱型基板の表面の上に形成される。 - 特許庁

To provide a synchronization acquisition device for direct sequence spread spectrum signals that detects mis-synchronization under a high C/N.例文帳に追加

高Ｃ／Ｎ下における誤同期を検出するスペクトラム直接拡散信号の符号同期装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A capacity part CWE for writing and erasing data, a MIS-FETQR for reading data and a capacitor C are arranged apart at different positions to each other.例文帳に追加

データ書き込み・消去用の容量部ＣＷＥ、データ読み出し用のＭＩＳ・ＦＥＴＱＲおよび容量部Ｃを互いに異なる位置に分離した状態で配置する。 - 特許庁

The bulky structures of the source and the drain in the MIS type field-effect transistor can be formed in which gate electrode are composed of metals by a film formation method at a low temperature of 500 to 600°C.例文帳に追加

５００℃〜６００℃の低温での膜形成方法によりゲート電極がメタルで構成されたＭＩＳ型電界効果トランジスタでの、ソース部及びドレイン部のかさ上げ構造を形成することができる。 - 特許庁