natural oxidation filmとは 意味・読み方・使い方

To restrain natural oxidation of a semiconductor device by taking a natural oxide film preventive countermeasure in a semiconductor device storage device such as a stocker.例文帳に追加

ストッカ等の半導体デバイス保管装置について、自然酸化膜防止対策を施し、半導体デバイスの自然酸化を抑制することを目的とする。 - 特許庁

Further, a barrier film 27 comprising an oxide film of the ruthenium silicide is formed on the surface of the ruthenium silicide film 22 by means of natural oxidation, and a ruthenium film 28 serving as the lower electrode is formed inside the hole 26.例文帳に追加

その後、自然酸化によりルテニウムシリサイドの酸化膜からなるバリア膜２７をルテニウムシリサイド膜２２の表面に形成し、さらに孔２６の内部に下部電極となるルテニウム膜２８を形成する。 - 特許庁

Further, it is recommended to remove a natural oxidation film on the monocrystal surface by immersing it in a fluorine-ion containing aqueous solution before the heat treatment.例文帳に追加

また、熱処理前に、フッ素イオン含有水溶液に浸漬して、前記単結晶表面の自然酸化膜を除去しておくと良い。 - 特許庁

A phosphorus-doped polysilicon film is used for an emitter electrode, so emitter resistance based upon a natural oxidation film on the interface between the emitter electrode and a silicon substrate is reducible.例文帳に追加

エミッタ電極に燐ドープポリシリコン膜を用いるので、エミッタ電極とシリコン基板の界面の自然酸化膜に起因するエミッタ抵抗を低減することができる。 - 特許庁

The electronic cooling element 50 comprises an n-type silicon substrate 51, a natural oxidation film 52, a metal film 53, a power source for applying a voltage to the n-type silicon substrate 51 and the metal film 53, and a supply line.例文帳に追加

電子冷却素子５０は、Ｎ型シリコン基板５１、自然酸化膜５２、金属膜５３、Ｎ型シリコン基板５１と金属膜５３とに電圧を印加する電源、及び、電源線を備えている。 - 特許庁

To enough remove a natural oxidation film or organic matters, even in a process of treating the surface of a silicon wafer and hydrogen-baking a semiconductor wafer at a lowered temperature.例文帳に追加

シリコンウェーハの表面処理方法及び半導体ウェーハにおいて、水素ベークの低温化を行っても十分に自然酸化膜や有機物を除去すること。 - 特許庁

After removing a natural oxidation film and washing the transparent conductive semiconductor substrate 70 with water, an alkari-containing organic solvent is brought into contact with the surface of the substrate, while applying ultrasonic waves.例文帳に追加

透明導電性半導体基板７０は、自然酸化膜を除去して水洗後、表面にアルカリ含有有機溶媒を超音波を印加しつつ接触させる。 - 特許庁

When wet etching to remove a natural oxide film on a silicon substrate 1, a gate oxide film 2 is prevented from being etched since there is a first polysilicon layer 3 (the so-called pad polysilicon layer for buffering stresses at oxidation of a LOCOS oxide film) on the film 2.例文帳に追加

シリコン基板（１）上の自然酸化膜を除去するためにウエットエッチングする際には、ゲート酸化膜（２）上に第１のポリシリコン層（３）（ＬＯＣＯＳ酸化時のストレスを緩衝する、いわゆるパッド・ポリシリコン層）があるために、ゲート酸化膜（２）がエッチングされることが防止される。 - 特許庁