ni nとは 意味・読み方・使い方

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式１γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式２ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

The compsn. of this steel is composed of 0.1 to 0.3% C+N, ≤0.5% Si, ≤0.7% Mn, 10 to 17% Cr and 0 to 0.6% Ni.例文帳に追加

鋼組成を、Ｃ＋Ｎ：0.1 〜0.3 ％、Si：0.5 ％以下、Mn：0.7％以下、Cr：10〜17％、Ni：０〜0.6 ％とする。 - 特許庁

A ratio N(M)/N(Ni) of a total atomic weight N(M) of each element of Co, Cr, Ti, Mn, Zr, Fe and Mg to the atomic weight N(Ni) of Ni contained in the phosphorous compound forming the precipitate is controlled to 0.05 to 30.例文帳に追加

前記析出物を形成するりん化合物中に含まれるＮｉの原子量Ｎ（Ｎｉ）に対する、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｍｎ，Ｚｒ，ＦｅおよびＭｇの各元素の原子量の合計Ｎ（Ｍ）の比Ｎ／Ｎ（Ｎｉ）が０．０５以上、３０以下とされたものである。 - 特許庁

The above steel sheet contains suitable amounts of C, N, Ti, Nb, Mo, Cu, Ni, B, Mg, Si, Mn and S.例文帳に追加

以上の鋼板が、Ｃ，Ｎ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｂ，Ｍｇ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓの好適量を含有する。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

An n-side electrode 21 formed of AuGe/Ni/Au is formed on the rear of the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板１１の裏面にＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなるｎ側電極２１を形成する。 - 特許庁

A Ni silicide layer 13 is formed by performing heat treatment to react Ni of the Ni layer 12 and Si of the n-type SiC layer 11 (Fig. 1(b)).例文帳に追加

熱処理を行うことによってＮｉ層１２のＮｉとｎ型ＳｉＣ層１１のＳｉとを反応させ、Ｎｉシリサイド層１３を形成させる（図１（ｂ））。 - 特許庁

A Ni layer 12 is formed on an n-type SiC layer 11 (Fig. 1(a)).例文帳に追加

ｎ型ＳｉＣ層１１上にＮｉ層１２が形成される（図１（ａ））。 - 特許庁