| 意味 | 例文 (2件) |
osf-3とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「osf-3」の意味 |
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OSF-3
| mouse | 遺伝子名 | OSF-3 |
| 同義語（エイリアス） | peroxiredoxin 1; Macrophage 23 kDa stress protein; macrophase stress protein 22kDa; PrxI; MSP23; Osteoblast-specific factor 3; Thioredoxin peroxidase 2; Trx dependent peroxide reductase 2; Tdpx2; PAG; Msp23; macrophage 23kDa stress protein; Paga; TPx-A; TDX2; Thioredoxin-dependent peroxide reductase 2; osteoblast specific factor 3; thioredoxin dependent peroxide reductase 2; Prdx1; NkefA; Prx I; Peroxiredoxin-1 | |
| SWISS-PROTのID | SWISS-PROT:P35700 | |
| EntrezGeneのID | EntrezGene:18477 | |
| その他のDBのID | MGI:99523 |
本文中に表示されているデータベースの説明
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該当件数 : 2件
(1) A method for producing an epitaxial wafer comprises using a silicion single crystal wafer which is doped with nitrogen and contains oxygen in a concentration of ≤9×1017 atom/cm3 in an OSF ring area.例文帳に追加
(1) 窒素がドープされ、ＯＳＦリング領域の酸素濃度が９×10^17atoms/cm^3以下であるシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。 - 特許庁
Since the interstitial oxygen concentration of a silicon wafer 20 is set at 1.4×10^18 atoms/cm^3 or below or the OSF density of the silicon wafer 20 is set at 20,000/cm^2 or below after devices are provided, the silicon wafer 20 can be protected against warpage caused by the interstitial oxygen concentration or OSF density.例文帳に追加
シリコンウェーハ２０の格子間酸素濃度を１．４×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、または、デバイス形成後のシリコンウェーハ２０のＯＳＦ密度を２００００個／ｃｍ^２以下としたので、格子間酸素濃度、ＯＳＦ密度に起因するシリコンウェーハ２０の反りの発生を防止できる。 - 特許庁
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