p-i-nとは 意味・読み方・使い方

The p-i-n diode has a diffusion prevention region on at least the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the p-type semiconductor layer and the end part of the intrinsic semiconductor layer side of the n-type semiconductor layer.例文帳に追加

p-i-nダイオードは、少なくともp型半導体層の真性半導体層側の端部及びn型半導体層の真性半導体層側の端部に拡散防止領域を有する。 - 特許庁

Then an n-type electrode 15 is formed on the n-type semiconductor layer 11 exposed by removing the layers and a p-type electrode 16 is formed on the p-type semiconductor layer.例文帳に追加

そして、前記p型半導体層およびi型半導体層を除去して露出したn型半導体層の上にn型電極15が設けられ、前記p型半導体層上にp型電極16が設けられている。 - 特許庁

The electron source 9 can use a p-n junction or p-i-n junction 9a and the like, and a p-layer 6a or an n-layer 6b of the p-n junction 9a may have a protruded form.例文帳に追加

電子源９は、ｐｎ接合又はｐｉｎ接合９ａ等を用いることができ、ｐｎ接合９ａｐ層６ａ又はｎ層６ｂが突起形状を有していてもよい。 - 特許庁

A positive hole reflecting layer may also be provided at any of n, n-, i, and p- types.例文帳に追加

なお正孔反射層はｎ、ｎ^-、ｉ、ｐ^-形のいずれにも設けることができる。 - 特許庁

A genuine amorphous silicon P-I-N photo diode 7 is formed in the cavities 6, which produce an output signal denoting an incident light.例文帳に追加

空洞の中には、真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオード７が形成され、入射光を表わす出力信号を生成する。 - 特許庁

In the optical waveguide circuit, a semiconductor layer 104 is formed, at least in the part of the front surface of the projection part 102 of the substrate 100, having the projection part 102 to form a p-n or p-i-n structure of functioning as a photodetector, etc.例文帳に追加

光導波路回路において、突起部102を有する基板100の突起部102の表面の少なくとも一部に、受光素子などとして機能するp-nないしはp-i-n構造を形成する様に半導体層104が形成されている。 - 特許庁

A multijunction photovoltaic structure includes: a first subcell including a p-n or p-i-n junction with elongated structures; and a second subcell, arranged in tandem with the first subcell, and including a planar p-n or p-i-n junction.例文帳に追加

マルチ接合光電池構造は、背高構造を有するｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第１サブセルと、上記第１サブセルと縦に並んで配置され、平坦ｐ-ｎまたはｐ-ｉ-ｎ接合を含む第２サブセルとを含む。 - 特許庁

The amorphous p-i-n thin film light emitting diode has an emission layer on the p-i interface so that emission intensity of a device is increased while lowering a required operating voltage.例文帳に追加

本発明の非晶質ｐ−ｉ−ｎ薄膜発光ダイオードの発光層はp-iの界面にあり、デバイスの発光光度を上げ、必要な操作電圧を下げる。 - 特許庁