passivation thicknessとは 意味・読み方・使い方

The level difference of a passivation film 36 is thus reduced over the surface of a substrate 1 to reduce variations in film thickness of a silicone resin 38.例文帳に追加

基板１上全面におけるパッシベーション膜３６の段差幅を小さくし、シリコーン樹脂３８の膜厚のばらつきを小さくする。 - 特許庁

A first passivation layer 22 is applied on a semiconductor device 12 and a base dielectric laminate 42, which has a thickness greater than that of the first passivation layer, is affixed to a first surface 18 of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス１２上に第１のパッシベーション層２２が施工され、ベース誘電体積層体４２が、半導体デバイスの第１の表面１８に付加され、第１のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。 - 特許庁

A passivation film 17 is formed so that a film thickness D1 of a part which comes into contact with a common electrode 19 is larger than a film thickness D2 of a part which comes into contact with a pixel electrode 16.例文帳に追加

共通電極１９に接するパッシベーション膜１７の部分の膜厚Ｄ_1が、画素電極１６に接するパッシベーション膜１７の部分の膜厚Ｄ_2よりも厚く形成されている。 - 特許庁

By altering thickness of a passivation layer, dielectric layer or organic layer in the two sub-pixels, the total capacitances of the two sub-pixels are different.例文帳に追加

二つのサブ画素における保護層の厚さ、誘電層の厚さおよび有機層の厚さを変えて、二つのサブ画素の合計容量値を相違させる。 - 特許庁

A film 10 constituted of the same material as a passivation film 6 formed on a circuit forming plane of a silicon substrate 2 is formed on a plane of an opposite side to the circuit forming plane of the silicon substrate 2 so that the thickness is equal to or larger than the thickness of a passivation film 6 formed on the circuit forming plane of the silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の回路形成面と反対側の面に、シリコン基板２の回路形成面に形成されたパッシベーション膜６と同一の材料によって構成された膜１０を、シリコン基板２の回路形成面に形成されたパッシベーション膜６の膜厚と同等若しくは厚くなるように形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a highly reliable semiconductor element capable of suppressing the deterioration of withstand voltage after bonding processing by increasing the glass passivation film thickness of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のガラスパシベーション膜厚を増加させることにより、接合処理後の耐圧劣化を抑えた高信頼性の半導体素子の製造方法の提案。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of decreasing the deformation or crack of a wafer when machining the semiconductor wafer in a predetermined thickness while maintaining a function of a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜の機能を維持しつつ、半導体基板を所望の厚さに加工する際における基板の変形・割れなどを低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can have a passivation film prevented from cracking without causing problems of an increase in the number of manufacturing processes, an increase in thickness, etc.例文帳に追加

製造工程数の増加や厚さの増大などの問題を生じることなく、パッシベーション膜にクラックが生じるのを防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁