「passivation thickness」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

Then, the sealing resin layer 7 is formed on the passivation film 3 to have a thickness larger than the height of the post 8.例文帳に追加

次に、パッシベーション膜３上に、封止樹脂層７がポスト８の高さよりも大きい厚さを有するように形成される。 - 特許庁

A liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 is formed on the passivation film 64 in the reflection region 50B and the pixel electrode 55 is formed on the passivation film 64 of the transmission region 50A and on the liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 of the reflection region 50B.例文帳に追加

反射領域５０Ｂのパッシベーション膜６４上には、液晶層厚調整層６５が形成され、透過領域５０Ａのパッシベーション膜６４上、および反射領域５０Ｂの液晶層厚調整層６５上に、画素電極５５が形成される。 - 特許庁

The level difference of a passivation film 36 is thus reduced over the surface of a substrate 1 to reduce variations in film thickness of a silicone resin 38.例文帳に追加

基板１上全面におけるパッシベーション膜３６の段差幅を小さくし、シリコーン樹脂３８の膜厚のばらつきを小さくする。 - 特許庁

A first passivation layer 22 is applied on a semiconductor device 12 and a base dielectric laminate 42, which has a thickness greater than that of the first passivation layer, is affixed to a first surface 18 of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス１２上に第１のパッシベーション層２２が施工され、ベース誘電体積層体４２が、半導体デバイスの第１の表面１８に付加され、第１のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。 - 特許庁

A passivation film 17 is formed so that a film thickness D1 of a part which comes into contact with a common electrode 19 is larger than a film thickness D2 of a part which comes into contact with a pixel electrode 16.例文帳に追加

共通電極１９に接するパッシベーション膜１７の部分の膜厚Ｄ_1が、画素電極１６に接するパッシベーション膜１７の部分の膜厚Ｄ_2よりも厚く形成されている。 - 特許庁

By altering thickness of a passivation layer, dielectric layer or organic layer in the two sub-pixels, the total capacitances of the two sub-pixels are different.例文帳に追加

二つのサブ画素における保護層の厚さ、誘電層の厚さおよび有機層の厚さを変えて、二つのサブ画素の合計容量値を相違させる。 - 特許庁

A film 10 constituted of the same material as a passivation film 6 formed on a circuit forming plane of a silicon substrate 2 is formed on a plane of an opposite side to the circuit forming plane of the silicon substrate 2 so that the thickness is equal to or larger than the thickness of a passivation film 6 formed on the circuit forming plane of the silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の回路形成面と反対側の面に、シリコン基板２の回路形成面に形成されたパッシベーション膜６と同一の材料によって構成された膜１０を、シリコン基板２の回路形成面に形成されたパッシベーション膜６の膜厚と同等若しくは厚くなるように形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a highly reliable semiconductor element capable of suppressing the deterioration of withstand voltage after bonding processing by increasing the glass passivation film thickness of the semiconductor element.例文帳に追加

半導体素子のガラスパシベーション膜厚を増加させることにより、接合処理後の耐圧劣化を抑えた高信頼性の半導体素子の製造方法の提案。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of decreasing the deformation or crack of a wafer when machining the semiconductor wafer in a predetermined thickness while maintaining a function of a passivation film.例文帳に追加

パッシベーション膜の機能を維持しつつ、半導体基板を所望の厚さに加工する際における基板の変形・割れなどを低減できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can have a passivation film prevented from cracking without causing problems of an increase in the number of manufacturing processes, an increase in thickness, etc.例文帳に追加

製造工程数の増加や厚さの増大などの問題を生じることなく、パッシベーション膜にクラックが生じるのを防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

Thus, the tapered shape of the side face (metal etching shape) of the patterned metal wiring 14 is intensified (the slope of the side face becomes gentle), and thereby the thickness of a passivation protective film covering the bent part 16 is increased.例文帳に追加

これにより、パターニングされた金属配線１４の側面（メタルエッチング形状）もテーパー形状が強くなる（側面が寝てくる）ため、屈曲部１６を覆うパッシベーション保護膜の膜厚が厚くなる。 - 特許庁

Next, a first resist layer 27 opening on the fuse layer 18T is used as a mask to etch the second passivation film 26 to a midpoint in the thickness direction of a third insulating film on the fuse layer 18T.例文帳に追加

次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。 - 特許庁

In the polyimide layer 6, a via hole 7 that penetrates in a thickness direction thereof is formed at a position opposite to a part exposed from the passivation film 4 through the aperture 5 in the wiring 3.例文帳に追加

ポリイミド層６には、配線３における開口５を介してパッシベーション膜４から露出する部分と対向する位置に、それを厚さ方向に貫通する貫通孔７が形成されている。 - 特許庁

The film thickness of the stacked-layer film is larger than film thickness of each of a photosensitive polyimide resin film 11 formed on the lower layers of the Cu wiring 10 and the bump-land 10A, an inorganic passivation film 26, a third Al wiring 25, the bump-pad BP, and a second inter-layer insulating film 24.例文帳に追加

この積層膜の膜厚は、Ｃｕ配線１０およびバンプ・ランド１０Ａの下層に形成された感光性ポリイミド樹脂膜１１の膜厚、無機パッシベーション膜２６の膜厚、第３層Ａｌ配線２５およびボンディングパッドＢＰの膜厚、第２層間絶縁膜２４の膜厚に比べて厚い。 - 特許庁

To provide a method of forming a gold bump or a gold wiring by which the difference of level of gold plating caused by a passivation film having an uneven film thickness is suppressed to form the gold bump or the gold wiring of a flat gold coating film.例文帳に追加

不均一な膜厚のパッシベーション膜に起因して生じる金めっきの段差を抑制して平坦な金皮膜の金バンプ又は金配線を形成できる金バンプ又は金配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

By this structure, the step width of a recessed region on the surface of the passivation film 29 is relieved, a local increase in the thickness of a bonding resin 3 is prevented, and abnormal bonding resin appearance due to thermal stress is prevented.例文帳に追加

この構造により、パッシベーション膜２９表面の窪み領域の段差幅が緩和され、接着樹脂３が局所的に厚くなることを防止し、熱応力による接着樹脂の外観異常が防止される。 - 特許庁

The first layer 22 is formed of a material containing Ti and W and coming in contact with the electrode 14, passivation layer 16, and resin projection 18 and has a film thickness of 300 to 1,000 Å.例文帳に追加

第１の層２２は、電極１４、パッシベーション膜１６及び樹脂突起１８に接触し、Ｔｉ及びＷを含む材料から形成され、３００Å以上１０００Å以下の膜厚を有する。 - 特許庁

A large number of holes 24 are made by etching in the central part of a transistor of a passivation film 22 on the drain electrode D and the source electrode S of an output transistor formed with an ordinary thickness by LSI fabrication process and a highly conductive metal film 25 of gold or aluminum is deposited on the entire surface thereof.例文帳に追加

ＬＳＩ製造工程で通常の薄さに作成された出力トランジスタのドレインの電極Ｄとソースの電極Ｓの上のパシベーション膜２２のトランジスタの中央部位置にエッチングにより多数の孔２４を設ける。 - 特許庁

A passivation film 14 of silicon nitride having thickness of about 1 μm is formed on the insulating film 12 and the p-side electrode 13 and a light emitting layer 15 emitting light having emission wavelength shorter than the wavelength corresponding to the energy gap of silicon constituting the semiconductor substrate 10 and containing a fluorescent material having luminous properties is formed on the passivation film 14.例文帳に追加

絶縁膜１２及びｐ側電極１３上には、膜厚が約１μｍの窒化シリコンからなるパッシベーション膜１４が形成され、該パッシベーション膜１４上には、発光波長が半導体基板１０を構成するシリコンのエネルギーギャップに相当する波長よりも短い発光光を発し且つ蓄光性を有する蛍光体材料を含む発光層１５が形成されている。 - 特許庁

Using a combination of a photoresist 4 and a resistive nitride film 3 containing the same components that are in a resistive nitride film having field plate effect and passivation effect as a mask realizes the reduction of the thickness of the photoresist 4 and the processing of Al wiring with high accuracy.例文帳に追加

フィールドプレート効果とパッシベーション効果がある抵抗性窒化膜と同一組成の抵抗性窒化膜３とフォトレジスト４を組み合わせてマスクとして使用することで、フォトレジスト４の厚さを薄くできて、高精度のＡｌ配線加工ができる。 - 特許庁

This method for manufacturing a semiconductor element is provided to apply a doctor blade method for continuously executing a series of processes constituted of glass coating, temporarily firing, and glass firing processes two times so that the thickness of a glass passivation film can be set so as to be 40 μm or more.例文帳に追加

ガラス塗布、仮焼成、ガラス焼成工程からなる一連の工程を連続して２回行なうドクターブレード法を適用することにより、ガラスパシベーション膜の厚さが４０μｍ以上となるようにした半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

A first passivation film 8 having a thickness of 100 nm or smaller is formed on both side walls of a ridge portion 5A formed on a portion of a second p-type cladding layer 5, and flat portions (the top face of the second p-type cladding layer 5) on both sides of the ridge portion 5A.例文帳に追加

ｐ型第２クラッド層５の一部に形成されたリッジ部５Ａの両側壁およびリッジ部５Ａの両側の平坦部（ｐ型第２クラッド層５の上面）には、１００ｎｍ以下の薄い膜厚を有する第１パッシベーション膜８が形成されている。 - 特許庁

A passivation film 8 used as a hydrogen supply source is set to have different residual hydrogen quantities on a pixel portion 11A and a peripheral circuit part 11B (since etching removal of either film thickness and/or film quality or film quality is carried out after film formation, it is constant on the pixel portion 11A and the peripheral circuit part 11B).例文帳に追加

水素供給源となるパッシベーション膜８が、画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで異なる残留水素量に設定（膜厚および／または膜質、膜質は成膜してからエッチング除去するので画素部１１Ａ上と周辺回路部１１Ｂ上とで一定）されている。 - 特許庁

By using a Γ-shaped electrode having an extension part extending in a drain direction as a gate electrode, each thickness of a passivation film and a cap layer is set up so that an equipotential plane under the gate electrode near the edge of the drain is deformed corresponding to the extension part.例文帳に追加

ゲート電極としてドレイン方向に延在する延在部を有するガンマ型電極を使い、前記電極延在部直下のパッシベーション膜およびキャップ層の厚さを、前記ゲート電極のドレイン端近傍の等ポテンシャル面が、前記延在部に対応して変形するように設定する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which prevents occurrence of warpage due to a difference in thermal expansion coefficients between a silicon substrate and a passivation film and occurrence of malfunction due to external light incidence such as an infrared ray, in the thin semiconductor device with 300 μm or less thickness.例文帳に追加

３００μｍ以下の薄型の半導体装置において、シリコン基板とパッシベーション膜の熱膨張係数の差によって反りが生じることを防止するとともに、赤外光などの外光が入射して誤作動が生じてしまうことを防止することのできる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

In a semiconductor device where a first silicon nitride film 10 including hydrogen is laminated and formed as a passivation film on the protective film 3 formed on the semiconductor substrate 1, the second silicon nitride film 5 of a thickness 100-500 Å is formed so as to cover the protective film 3 between the protective film 3 and the first silicon nitride film 10.例文帳に追加

半導体基板１に形成した保護膜３上に水素を含む第１の窒化シリコン膜１０がパシベーション膜として積層形成されてなる半導体装置において、保護膜３と第１の窒化シリコン膜１０の間に、膜厚が１００〜５００Åの第２の窒化シリコン膜５により保護膜３を覆うように形成したものである。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device where the shape of skin surface is detected by detecting the capacitance of the skin surface and a conductive film through a silicon nitride and polyimide film of passivation film, a polyimide film having a thickness of 400-700 nm is formed on the uppermost layer of the semiconductor device at a temperature of 350-380°C.例文帳に追加

パシベーション膜である窒化シリコン及びポリイミド膜を介して皮膚表面と導電膜との容量を検出し、皮膚表面の形状を検出する半導体装置の製造方法において、その半導体装置の最上層に膜厚が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のポリイミド膜を硬化温度を３５０℃以上３８０℃以下で形成する。 - 特許庁

A TFT substrate 218 in an active matrix liquid crystal display device is provided with a concave portion 213, formed by etching the TFT substrate 218 in a portion corresponding to an auxiliary column, a recessed portion formed by etching a passivation film, in a portion corresponding to an auxiliary column, and a pedestal formed by leaving an overcoat film with an appropriate thickness, in a portion corresponding to the main column.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶表示装置において、ＴＦＴ基板２１８に、補助柱に対応する部分のＴＦＴ基板２１８をエッチングして形成した凹部２１３や、補助柱に対応する部分のパッシベーション膜をエッチングして形成した凹部、主柱に対応する部分のオーバーコート膜を適切な厚みで残した台座などを設ける。 - 特許庁

In a method for fabricating the semiconductor integrated circuit having a base film, a thin film transistor and a passivation film, variation in kinds, thickness, and sizes of other substrates is made possible by releasing the semiconductor integrated circuit fabricated on a substrate from the substrate and fixing only the semiconductor integrated circuit to the other substrate.例文帳に追加

下地膜と、薄膜トランジスタ及びパッシバーション膜を有する半導体集積回路の作製方法であって、基板上に作製された半導体集積回路を基板から剥離して、半導体集積回路のみを他の基板に固定する半導体集積回路の作製方法を提供することによって、前記他の基板の種類や厚さ、大きさに関して、さまざまなバリエーションが可能でになる。 - 特許庁

The metal separator used in the fuel cell using a solid polymer electrolyte is constructed of aluminum or aluminum alloy having a prescribed thickness or more for a part of a face opposed to the electrolyte, and the aluminum or aluminum alloy is exposed, and the separator has a film growth suppression layer to suppress growth of a passivation film in an electric contact region of the separator.例文帳に追加

固体高分子電解質を用いた燃料電池に用いられる本発明の金属セパレータは、前記電解質に対面する面の一部が所定の厚さ以上の厚さを有するアルミニウムあるいはアルミニウム合金で構成され、かつ前記アルミニウムあるいはアルミニウム合金が露出しており、かつ前記セパレータの電気的接点領域に不動態皮膜の成長を抑える皮膜成長抑制層を有する。 - 特許庁