reactive depositionとは 意味・読み方・使い方

At this time, a second wafer is inserted into the first IBS deposition chamber 302 and is subjected to the reactive sputtering deposition.例文帳に追加

そのとき、第２のウェハが第１の堆積室に挿入され、反応性スパッタ堆積が行われる。 - 特許庁

To provide a reactive sputtering deposition device provided with a partition plate between a sputtering target and a substrate.例文帳に追加

スパッタリングターゲットと基板との間に仕切り板を設けた反応性スパッタリング蒸着装置を提供する。 - 特許庁

ARTICLE PROCESSED WITH DYEING, AND SERICIN AND FIBROIN DEPOSITION SIMULTANEOUSLY BY USING REACTIVE DYESTUFF, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME例文帳に追加

反応染料を用いて染色とセリシン・フィブロイン付着を同時に行った物品とその製造方法 - 特許庁

To provide an atomic layer deposition apparatus and process that minimize mixing of the chemicals and reactive gases.例文帳に追加

化学剤及び反応性気体の混合を最小にする原子層堆積装置及び方法を提供する。 - 特許庁

The vacuum film deposition apparatus 200 includes a film deposition chamber 220 to be evacuated, a vapor deposition source 280 arranged opposite to a first substrate 10 in the film deposition chamber 220, a gas inlet 260 for introducing reactive gas in the film deposition chamber 220, and an exhaust port 270 for performing the exhaust from the film deposition chamber 220.例文帳に追加

真空成膜装置２００は、真空状態とされる成膜室２２０と、成膜室２２０内で第１基板１０に対向配置された蒸着源２８０と、成膜室２２０内に反応ガスを導入するガス導入口２６０と、成膜室２２０内からの排気を行なうための排気口２７０とを有している。 - 特許庁

A peeling layer is formed by the sputtering target 5, and by film deposition by an arc evaporation source 4 while introducing reactive gas and film deposition by vapor deposition from the crucible 3, a dielectric stacked film is formed.例文帳に追加

スパッタリングターゲット５によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源４による成膜とルツボ３からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。 - 特許庁

A release layer is formed by the sputtering target 5, and, while introducing a reactive gas, a dielectric laminated film is formed by film deposition by the arc evaporation source 4 and film deposition by vapor deposition from the crucible 3.例文帳に追加

スパッタリングターゲット５によって剥離層を形成し、反応性ガスを導入しながらアーク蒸発源４による成膜とルツボ３からの蒸着成膜によって誘電体積層膜を形成する。 - 特許庁

The method is suitably used for a dry deposited film including hydrogen derived from at least Si-H bond or N-H bond, which is formed by a means selected from among vapor deposition, reactive vapor deposition, sputtering, reactive sputtering, and chemical vapor deposition.例文帳に追加

本発明の方法は、蒸着法、反応性蒸着法、スパッタ法、反応性スパッタ法、化学気相堆積法から選ばれた手法により形成され、少なくともＳｉ−Ｈ結合、もしくはＮ−Ｈ結合に由来する水素を含む乾式堆積膜に好適に使用できる。 - 特許庁