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reactive ion etchとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 反応イオン腐食
「reactive ion etch」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
In the VSE, reactive ion etching or wet etching is used in order to etch the surface to be bonded slightly (3).例文帳に追加
VSEは、結合される面を僅かにエッチングするためにリアクチブイオンエッチングまたは湿式エッチングが用いられる(3)。 - 特許庁
To etch a Cu layer and a base layer by one treatment during reactive ion etching with iodine as a principal.例文帳に追加
ヨウ素を主体として反応性イオンエッチング時に、Cu層及び下地層を一回の処理でエッチングできるようにする。 - 特許庁
To provide a parallel plate reactive ion etching system which can etch a solar battery substrate with an etching distribution of ±10% in a batch.例文帳に追加
大面積の太陽電池基板を、バッチ内で±10%以下のエッチング分布をもってエッチング処理できる平行平板式反応性イオンエッチング装置を提供する。 - 特許庁
To etch a polysilicon gate into which an element which does not generate a volatile compound, for example ytterbium (Yb), is implanted, during conventional reactive-ion etching.例文帳に追加
本発明は、従来の反応性イオンエッチングの間、揮発性の化合物を生成しない元素、例えばイットリビウム(Yb)が注入されたポリシリコンゲートをエッチングすることを目的とする。 - 特許庁
To provide a reactive ion etching device capable of facilitating etching in microfabrication on a width of 0.3 μm or smaller without causing etch stop by using magnetic neutral loop discharge.例文帳に追加
本発明の課題は、0.3μm幅以下の微細加工においてエッチストップを発生させることなくエッチングできる磁気中性線放電を利用した反応性イオンエッチング装置を提供することにある。 - 特許庁
A shadow mask 125 is placed over the carbon layer 120 and reactive ion etch (RIE) is used to transfer holes 130 in the shadow mask 125 to the carbon layer 120, to thereby form a carbon mask.例文帳に追加
シャドウマスク125は、炭素層120の上に載置されており、反応性イオンエッチング(RIE)が用いられることにより、シャドウマスク125のホール130が炭素層120に転写され、それにより、炭素マスクを形成する。 - 特許庁
A method of applying anisotropic plasma etching to a silicon-on-insulator substrate wherein undercutting is substantially eliminated by utilizing, as a finishing etch step, a reactive ion etching process wherein ion density is reduced in order to limit ion charging within recesses of various sizes so that uniform etching can be performed in a vertical direction.例文帳に追加
垂直方向に一様なエッチングを行うように様々なサイズの凹部内のイオン充電を制限するためにイオン密度が低減される反応性イオン・エッチング工程を仕上げエッチング段階として使用することによってアンダカットが実質的になくなる、シリコン・オン・インシュレータ基板に異方性プラズマ・エッチングを施す方法を開示する。 - 特許庁
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「reactive ion etch」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
A resist film 53 is used as a mask to etch the shifter film 52 by reactive ion etching using CF_4+O_2 gas for MoSiO and MoSION or using Cl_2CO_2 gas for CrO and CrON to form a light transmitting portion 852 corresponding to an auxiliary measurement pattern.例文帳に追加
レジスト膜52をマスクにして、MoSiOとMoSiONとに対してはCF_4+O_2ガス、CrOとCrONとに対してはCL_2CO_2ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、シフタ膜52のエッチングを行ない、補助測定パターンに対応する光透過部852を形成する。 - 特許庁
The production method includes a process of forming a film consisting of any of an oxide of molybdenum silicon, nitride of molybdenum silicon, oxide nitride of molybdenum-silicon, nitride of silicon and oxide nitride of silicon on a quartz substrate, and a process of forming a phase shift mask pattern by reactive ion etching to selectively etch and remove the film by using an etching gas containing gaseous chlorine.例文帳に追加
石英基板上にモリブデン−シリコンの酸化物、モリブデン−シリコンの窒化物、モリブデン−シリコンの酸窒化物、シリコンの窒化物およびシリコンの酸窒化物のいずれかからなる被膜を形成する工程と、前記被膜を塩素ガスを含むエッチングガスを用いた反応性イオンエッチングにより選択的にエッチング除去することにより位相シフトマスクパターンを形成する工程とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁
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