reactive ion-beamとは 意味・読み方・使い方

The crystalline substrate 11 is set in a specimen chamber 12 of an ion beam irradiator, and a mixture gas of a CHF_3 gas and an Ar gas mixed at a ratio in a range of 1:10 to 1:2 is introduced from a gas inlet pipe 15 into an ion gun chamber 13 as a reactive etching gas.例文帳に追加

この結晶基板１１をイオンビーム照射装置の試料室１２に設置し、ガス導入管１５よりCHF_3ガスとArガスとを1:10〜1:2の範囲で混合したガスを反応性エッチングガスとしてイオン銃室１３内に導入する。 - 特許庁

The dielectric layer is deposited by means of cathode sputtering, for example, by means of the cathode sputtering which is assisted by a magnetic field and is preferably reactive in the presence of oxygen and/or nitrogen, with exposure to at least one ion beam (3) from an ion source (4).例文帳に追加

誘電体層はカソード・スパッタリングによって、例えば、磁界によってたすけられる、好ましくは酸素および／または窒素の存在下で反応性であるカソード・スパッタリングによって、イオン源（４）からの少なくとも一つのイオンビーム（３）への曝露と、堆積される。 - 特許庁

To provide a high-resolution and high throughput charged particle beam device obtained by attenuating intrinsic vibrations of ion pumps excited by a reactive force during driving of a stage, and by preventing occurrence of a loop of a force and a loop of a current.例文帳に追加

ステージ駆動時の反力で励起されるイオンポンプの固有振動を短時間で減衰させ、力のループと電流のループの発生を防ぎ、高分解能かつ高スループットの荷電粒子線装置を提供する。 - 特許庁

The layer of a first superconducting material is formed on the upper surface of the first dielectric layer of a substrate by dc reactive sputtering, and a second dielectric layer is formed on the upper surface of the first superconducting material by ion beam sputtering.例文帳に追加

基板となる第一誘電体層の上面に、直流反応性スパッタリングによって第一超伝導体層を形成し、その第一超伝導体層の上面に、イオンビームスパッタリングによって第二誘電体層を形成する。 - 特許庁

To provide an ion beam generating device capable of removing an insulation film deposited on the surface of an electrode by a highly reactive ionic species without the release of vacuum, the disassembly of the device and the exchange of a parts, and a cleaning method therefor.例文帳に追加

本発明の課題は、真空の解除，装置の分解，部品交換なしに、反応性の高いイオン種によって電極表面に堆積する絶縁被膜が除去できるイオンビーム発生装置及びそれのクリーニング方法を提供するにある。 - 特許庁

As shown in (d), a photoresist pattern of a ring shape having a width of 5 μm is formed and etched deeper than an MQW active layer 4 from a P-electrode 7 by dry etching such as RIBE(reactive ion beam etching).例文帳に追加

（ｄ）に示すように、幅５μｍのリング形状のフォトレジストパターンを形成し、Ｃｌ_2などを用いたＲＩＢＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｂｅａｍ Ｅｔｃｈｉｎｇ）などのドライエッチングによりＰ−電極７からＭＱＷ活性層４より深くセルフアラインにエッチングする。 - 特許庁

The ion beam source comprises a metallic enclosure provided with cathodes, magnetic gaps, a magnetic field generating means for generating a magnetic field in the enclosure, reactive gas introducing means for introducing reactive gas into the enclosure, and anodes each arranged in the vicinity of the magnetic gap; wherein the cathodes are electrically insulated from ground potential.例文帳に追加

金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 - 特許庁

The ECR sputtering apparatus 1 comprises: an ECR sputtering source 2 which generates the plasma originating from the sputter target by using an electron cyclotron resonance mechanism and irradiates a substrate 10 with the generated plasma; and an ion beam source 3 which ionizes a supplied gas like the reactive gas and irradiates the substrate 10 with the ionized gas.例文帳に追加

ＥＣＲスパッタ装置１は、電子サイクロトロン共鳴によってスパッタターゲットのプラズマを発生し、発生したプラズマを基板１０に照射するＥＣＲスパッタ源２と、反応性ガス等の供給ガスをイオン化し、イオン化したガスを基板１０に照射するイオンビーム源３を備える。 - 特許庁