recombination lossとは 意味・読み方・使い方

To provide a photoelectric conversion element which does not require high temperature long time heat treatment, and can suppress recombination loss without forming a high quality semiconductor film.例文帳に追加

高温長時間の熱処理を必要とせず、また、高品質な半導体膜を形成せずとも再結合損失を抑制することができる光電変換素子を提供する。 - 特許庁

Photons directly come into an exposure drift area, so that the hole-electron pairs are excited and uniformly separated by the action of the built-in electric field, a current is outputted, and the generation of push energy loss and recombination loss is evaded due to a diffusion current.例文帳に追加

光子は直接に暴露のドリフト領域に進入するので、ホール・エレクトロンペアを励起して均一に内蔵電場作用で分離し電流を出力し拡散電流による押しエネルギー損失と再結合損失の発生を避ける。 - 特許庁

To prevent the recombination of reflected light shielded by an optical filter at an input side or an output side after passing through an isolator function part, and to prevent the degradation of return loss characteristic.例文帳に追加

光学フィルタで遮断された反射光がアイソレータ機能部を通過した後、入力側あるいは出力側で再結合するのを防止し、反射減衰量特性の劣化が生じないようにする。 - 特許庁

To enhance photovoltaic conversion efficiency furthermore by decreasing the number of defects on the surfaces of an element (light receiving surface and back surface) while sustaining the carrier repelling effect of an energy barrier wall being formed by a diffusion layer thereby reducing surface recombination loss.例文帳に追加

拡散層により形成されるエネルギー障壁によるキャリア追い返し効果を維持しつつ、素子表面（受光面及び裏面）の欠陥数を減少させることで、表面再結合損失を低減して光電変換効率の更なる向上を図る。 - 特許庁

To provide a dye sensitized solar battery wherein problems are solved that a high photoelectric conversion efficiency is not obtained by recombination of electrons and a loss due to reverse reactions in a metal oxide semiconductor, wherein the electrons excited and injected into the metal oxide semiconductor reach efficiently a transparent electroconductive film, and wherein the photoelectric conversion efficiency can be improved.例文帳に追加

金属酸化物半導体中での電子の再結合，逆反応による損失により、高い光電変換効率が得られない問題を解消し、励起して金属酸化物半導体中に注入された電子を効率的に透明導電膜に到達させ、光電変換効率を大幅に向上できるような色素増感太陽電池を提供する。 - 特許庁

To enhance Voc by reducing the area of a contact region thereby reducing carrier recombination rate at the interface between a semiconductor substrate and a light receiving surface electrode, and to make a power generation layer absorb as much light as possible by reducing the area of the light receiving surface electrode on the semiconductor substrate thereby reducing reflection loss on the surface of the light receiving surface electrode.例文帳に追加

接触領域の面積を低減することにより、半導体基板と受光面電極の間の界面におけるキャリア再結合速度を小さくし、Ｖｏｃを向上させ、半導体基板上の受光面電極面積を低減することにより、受光面電極表面での反射損失を少なくして発電層にできるだけ多くの光を吸収させる。 - 特許庁