species oxidationとは 意味・読み方・使い方

Since the active oxygen species such as ozone have high oxidation activity in a low-temperature region blow 200°C, H_2S in exhaust gas is efficiently removed by oxidation.例文帳に追加

オゾンなどの活性酸素種は、 200℃以下のような低温域でも酸化活性が高く、排ガス中のH_2S は酸化により効率よく除去される。 - 特許庁

The film 8 is made to have an oxidation resistance so as to prevent the permeation of an oxidizing species to the first conductor film 7.例文帳に追加

第２の導体膜８は、酸化種を第１の導体膜７に透過させないように耐酸化性を有する。 - 特許庁

This lamellar wave stirring advanced oxidation water treatment apparatus is equipped with an ozone microbubble generator for performing oxidation, a highly active photocatalyst for performing oxidation by active oxygen species and reduction, and a lamellar wave producing and stirring device for enhancing solid-liquid contact and a washing effect.例文帳に追加

酸化を行うオゾン微細気泡発生装置と、活性酸素種による酸化・還元を行う高活性な光触媒、および固液の接触・洗浄効果を上げる層状波発生攪拌装置を具備する。 - 特許庁

In an oxidizing atmosphere, independently of the presence of the active species, an oxidation reaction of the active species and the carrier proceeds very rapidly, and the carrier, in which the amount of oxygen is insufficient, takes in oxygen from the atmosphere.例文帳に追加

酸化雰囲気では、活性種の存在の有無に関わりなく非常に速く活性種及び担体の酸化反応が進行し、担体は自身に不足した酸素を雰囲気から取り込む。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is formed with a semiconductor layer 13, a first insulating layer 31 that is formed on the surface of the semiconductor layer 13 and allows an oxidation species to pass through, and a second insulating layer 32 that is formed as to cover the first insulating layer 31 and does not allow the oxidation species to pass through.例文帳に追加

半導体素子１０は、半導体層１３と、半導体層１３の表面に設けられ、酸化種を透過する第１の絶縁層３１と、第１の絶縁層３１を覆うように設けられ、酸化種を透過させない第２の絶縁層３２とを備えている。 - 特許庁

It is expected that an active oxygen species on the surface of the catalyst is not made into O^2-, but O^-, and a partial oxidation reaction which is an exothermic reaction can be allowed to proceed while inhibiting a total oxidation reaction.例文帳に追加

触媒表面の活性酸素種をO^2- ではなくO^-とすることができると期待され、完全酸化反応を抑制しつつ発熱反応である部分酸化反応を進行させることができる。 - 特許庁

The oxide film formation method has a pretreatment process for forming a protection oxide film in a surface of a wafer by carrying out oxidation treatment by active oxidation species, or atmosphere containing active oxidation species under evacuation conditions for a wafer disposed inside a reaction container; and an oxide film formation process for forming an oxide film by performing oxidation treatment for the wafer at a prescribed temperature under evacuation conditions.例文帳に追加

酸化膜形成方法は、反応容器内に配置されたウエハについて、減圧条件下に、活性酸化種または活性酸化種を含む雰囲気による酸化処理を行うことにより、ウエハの表面に保護酸化膜を形成する前処理工程と、このウエハについて、減圧条件下において所定の温度で酸化処理することにより、酸化膜を形成する酸化膜形成工程とを有する。 - 特許庁

The method comprises the step of using a catalyst containing a tungsten species and/or a molybdenum species and a fluororesin in the oxidation of a compound having at least one ethylenic double bond with an oxidizing agent.例文帳に追加

本発明はエチレン性二重結合を少なくとも１個含有する化合物を酸化剤により酸化するに際し、タングステン種及び／またはモリブデン種と、フッ素樹脂とを含む触媒を用いることを特徴とする。 - 特許庁