spin alignmentとは 意味・読み方・使い方

An alignment jig 30 is formed into the same shape as that of a spin chuck for retaining a wafer W in a resist coating device.例文帳に追加

位置合わせ用治具３０は，レジスト塗布装置におけるウェハＷを保持するスピンチャックと同形状に形成される。 - 特許庁

To obtain a charge injection spin transistor which induces a charge alignment phase transition by other braking except a magnetic field and which uses the transition for a memory device.例文帳に追加

磁場以外の他の制動によって電荷整列相転移を誘起させ、これをメモリデバイスに用いた電荷注入型スピントランジスタを得る。 - 特許庁

Because the OCS 114 and its peripheral region form a shade in oblique deposition and no alignment layer is formed thereon, a first alignment layer 118 is separately formed thereon with such methods as offset printing, spin-coating or ink-jet printing.例文帳に追加

このＯＣＳ１１４およびその周辺領域は、斜め蒸着では影になり配向膜が形成されないため、オフセット印刷、スピンコート、インクジェットなどの方式により別途第１の配向膜１１８を形成する。 - 特許庁

The alignment jig 30 is attached to the resist coating device in place of the spin chuck, the nozzle is lowered into the ray lattice range of the alignment jig 30, either ray is shaded, and the nozzle is moved from the light-shielded position to the reference position.例文帳に追加

位置合わせ用治具３０がスピンチャックに代えてレジスト塗布装置に取り付けられ，ノズルが位置合わせ用治具３０の光線格子範囲内に下ろされ，いずれかの光線が遮光され，ノズルがその遮光位置から基準位置に移動される。 - 特許庁

To eliminate accurate alignment of rotary direction between a spin chuck and a substrate, when carrying and fitting a substrate in a configuration where the spin chuck for retaining the substrate and rotating it for performing treatment onto the surface is supported only at the peripheral part of the reverse side of the substrate, to prevent a main part inside the reverse side from being contaminated, scratched, or the like.例文帳に追加

基板Ｗを保持してその表面に処理を行うために回転するスピンチャックを基板Ｗの裏面の周辺部のみを支持して裏面の内部の主要部分に汚れ、キズ等をつけないように構成したものにおいて、基板Ｗの搬送装着に際してのスピンチャックと基板Ｗとの回転方向の高精度な位置合わせを不要とする。 - 特許庁

The charge injection spin transistor comprises a perovskite Mn oxide layer 12 having a source electrode 13, a drain electrode 14, and further a structure having a gate electrode 16 on the layer 12 via an insulating layer 15 to induce the charge alignment phase transition.例文帳に追加

ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物層１２にソース電極１３、ドレイン電極１４を設け、さらに上記電荷整列相転移を誘起させるために上記ペロブスカイト型Ｍｎ酸化物層１２上に絶縁層１５を介してゲート電極１６を有する構造とする。 - 特許庁

In the electrooptical device 1, after alignment layers 24 and 32 are formed on a TFT array substrate 10 and a counter substrate 20 by a spin coating method, unnecessary alignment layers 240 and 320 adhered to the back surfaces 107 and 207 and side surfaces 108 and 208 of the TFT array substrate 10 and the counter substrate 20 are removed by atmospheric pressure plasma generated by an oxygen gas indirect discharging method.例文帳に追加

電気光学装置１において、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０にスピンコート法で配向膜２４、３２を形成した後、酸素ガス間接放電方式により発生させた大気圧プラズマにより、ＴＦＴアレイ基板１０および対向基板２０の裏面１０７、２０７および側面１０８、２０８に付着している余計な配向膜２４０、３２０を除去する。 - 特許庁