stress densityとは 意味・読み方・使い方

Moreover, the transition density of the semiconductor crystal can be suppressed low by such a stress relaxing operation.例文帳に追加

更に、この応力緩和作用により半導体結晶Ａの転位密度も低く抑制できる。 - 特許庁

This forms a silicon oxidation film having a high density and a high stress on the workpiece surface.例文帳に追加

これにより、被処理体の表面に高密度で且つ高い応力のシリコン酸化膜を形成する。 - 特許庁

Then, the size B_1 of the magnetic density vector B in each fine region s when the size of a magnetic field is H_0 in the B-H curve when the stress σ is the equivalent stress σξ is determined as the size of magnetic flux density corresponding to the equivalent stress σξ.例文帳に追加

次に、応力σが相当応力σξであるときのＢ−Ｈ曲線において、磁界の大きさがＨ_0のときの各微小領域ｓの磁束密度ベクトルＢの大きさＢ_1を、「相当応力σξに対応する磁束密度の大きさ」として求める。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a photomask blank which lessens the warpage of a substrate by film stress (relieves the film stress) and improves the density and denseness of the films.例文帳に追加

膜応力による基板の反りの低減（膜応力の緩和）や膜の密度や緻密性の向上を図ることができるフォトマスクブランクスの製造方法等を提供する。 - 特許庁

A magnetic flux density vector B in each fine region s is calculated based on a B-H curve in which stress σ is 0.例文帳に追加

各微小領域ｓにおける「磁束密度ベクトルＢ」を、応力σが０のＢ−Ｈ曲線に基づいて計算する。 - 特許庁

By this constitution, bonding between electrodes are facilitated by low energy and low stress, so that high density of a semiconductor device is promoted and reliability of the semiconductor device is improved.例文帳に追加

そして、半導体装置の高密度化が促進されると共に半導体装置の信頼性が向上する。 - 特許庁

Further, the plate spring has an apparent density of 0.1-0.7 g/cm^3, a maximum bending stress at least in one direction is 0.5 MPa or more, and bending stress in bending quantity of 1.5 times with respect to the bending quantity showing the maximum bending stress may be half or more with respect to the maximum bending stress.例文帳に追加

また、０．１〜０．７ｇ／ｃｍ^3の見掛け密度を有し、少なくとも一方向における最大曲げ応力が０．５ＭＰａ以上であり、最大曲げ応力を示す曲げ量に対して１．５倍の曲げ量における曲げ応力が、最大曲げ応力に対して１／２以上であってもよい。 - 特許庁

The protection membrane 5 covering the organic EL layer of an organic EL element has a three-layered structure made of a high-density silicon nitride membrane 52 having compressive stress and a low-density silicon nitride membranes 51, 53 having tensile stress formed so as to clip it.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の有機ＥＬ層を覆う保護膜５は、圧縮応力を有する高密度なシリコン窒化膜５２と、それを挟むように形成された引っ張り応力を有する低密度なシリコン窒化膜５１，５３とから成る３層構造を有している。 - 特許庁