surface recombinationとは 意味・読み方・使い方

To further reduce the recombination of carriers on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon substrate by further inactivating the surface of the semiconductor substrate.例文帳に追加

シリコン基板等の半導体基板の表面を一層不活性化し、基板表面でのキャリアの再結合を一層低減する。 - 特許庁

To provide a solar battery having a high energy conversion efficiency in which recombination of optical carriers on the back surface can be suppressed and recombination of optical carriers in a light absorption layer can be suppressed.例文帳に追加

裏面での光キャリアの再結合が抑制され、且つ光吸収層内での光キャリアの再結合も抑制された、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

Additionally, on the upper surface of the base region 14, a recombination layer 17, which functions as the recombination center of minority carriers(electrons in this case), is formed, and a groove section 18 is formed at the side of the emitter region 15 and at the side of the collector region 16 in the recombination layer 17.例文帳に追加

更に、ベース領域１４の上面には、少数キャリア（ここでは、電子）の再結合中心として機能する再結合層１７が形成され、再結合層１７のエミッタ領域１５側及びコレクタ領域１６側に溝部１８が形成されている。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for measuring surface carrier recombination speed capable of obtaining surface Fermi level even from FK oscillation influenced by probe light having relatively large intensity and at the same time capable of determining surface recombination speed.例文帳に追加

比較的強度の強いプローブ光の影響を受けたＦＫ振動からであっても表面フェルミ準位を求めることができると同時に表面再結合速度を決定できる表面キャリア再結合速度の測定方法及び測定装置を提供する。 - 特許庁

To provide a novel surface recombination technology for expressing heterodimeric recombinant gene products on the surface of a filamentous phage containing a recombinant gene.例文帳に追加

組換え遺伝子を含む繊維状ファージの表面上でヘテロ二量体組換え遺伝子産物を発現させる新しい表面組込み技術を提供すること。 - 特許庁

Chemical passivation for inhibiting surface recombination is executed by coating the semiconductor sample surface by wax or resin for setting the surface to a passivation state.例文帳に追加

表面再結合を抑制するためのケミカル・パッシベーションを、ワックス又は樹脂にて半導体試料の表面をコーティングして同表面を前記パッシベーション状態にすることで実施する。 - 特許庁

To provide HBT without deterioration of reliability, resulting from recombination of carriers of surface in the emitter/base junction region.例文帳に追加

エミッタ−・ベース接合領域におけるキャリアの表面再結合に起因する信頼性劣化のないＨＢＴを提供する。 - 特許庁

Consequently, generation of heat (surface recombination) instead of light, due to recombination of the holes and electrons near the inner wall of the holes 16 can be suppressed and thereby the light emission efficiency and energy efficiency can be improved.例文帳に追加

これにより、空孔１６の内壁付近において正孔と電子が再結合して光ではなく熱を発生すること（表面再結合）を抑えることができ、発光効率及びエネルギー効率を高めることができる。 - 特許庁