surface diffusion processとは 意味・読み方・使い方

In this process, the balls 7 densely float on the liquid surface of the reservoir 1 and the sub-reservoir 2, so that the diffusion of the gas to the atmosphere from the liquid surface is suppressed.例文帳に追加

この過程において、貯留部１及び副貯留部２の液面にボール７が密に浮くことになり、液面からガスが大気中に気散することが抑制される。 - 特許庁

In a process (a), after forming an insulation film 2 and a diffusion layer 3 on a silicon substrate 1, a gate oxide film is formed on the surface of the diffusion layer 3 to form thereon a gate electrode 4 by its patterning.例文帳に追加

工程（ａ）は、シリコン基板１上に絶縁膜２と拡散層３とを形成し、拡散層３の表面にゲート酸化膜を形成してパターンニングにより前記ゲート電極４を形成する。 - 特許庁

Barrier metals 21 and solder bumps 31 are formed at predetermined positions on an Si wafer 11 after the wafer is subjected to a diffusion process and a multilayer wiring process, and an insulating resin layer 41 is formed on the whole surface.例文帳に追加

拡散、多層配線工程を経たＳｉウエハー１１上の所定位置にバリアメタル２１及びはんだバンプ３１を形成し、全面に絶縁樹脂層４１を形成する。 - 特許庁

Next, an oxidization process is executed for oxidizing a boron silicide, which is generated on the surface of the monocrystalline silicon wafer 1 by the first thermal diffusion process, and changing it into boron silicate glass.例文帳に追加

次に、前記第１の熱拡散工程により前記シリコン単結晶基板１の表面に発生したボロンシリサイドを酸化してボロンシリケートガラスに変化させる酸化工程を行う。 - 特許庁

A method for manufacturing the light diffusion film includes a process A for forming a prefilm from a plurality of short fibers by the dry type nonwoven fabric method and a process B for applying application liquid for forming transparent resin by solidification or hardening at least to one surface of the prefilm obtained in the process A and solidifying or hardening the applied application liquid to form the light diffusion film.例文帳に追加

複数の短繊維を乾式不織布法によってプレフィルムにする工程Ａと、工程Ａで得られたプレフィルムの少なくとも片面に、固化または硬化により透明樹脂を形成する塗布液を塗布し、塗布された前記塗布液を固化または硬化させて光拡散フィルムを形成する工程Ｂとを含む。 - 特許庁

A process for etching a silicon oxide film 8 and TEOS films 9 and 20 on the surface of a diffusion region 4 of a collector region is separated from a process for etching TEOS films 12 and 20 on the surface of a base taking-out electrode 16.例文帳に追加

本発明では、コレクタ領域の拡散領域４表面のシリコン酸化膜８、ＴＥＯＳ膜９、２０をエッチングする工程と、ベース取り出し電極１６表面のＴＥＯＳ１２、２０膜をエッチングする工程とを別工程とする。 - 特許庁

A process of introducing impurities of a 1st conductivity into only a 2nd region where the varactor diode is formed to the processes of forming other elements and diffusion is carried out in an existing heat-treating process to form a 1st conductivity diffusion layer 106 which contacts the reverse surface of a 2nd conductivity diffusion layer 107.例文帳に追加

第１導電型の半導体基板に他の素子を形成するプロセスに対して、可変容量ダイオードを形成する第２領域のみに第１導電型の不純物を導入する工程を追加し、既存の熱処理工程で拡散を行うことによって、第２導電型拡散層１０７の下面に接する第１導電型拡散層１０６を形成する。 - 特許庁

High-temperature surface layer water of a reservoir is pumped up by a storage pump 1, an acid is added in an adequate amount to the pumped water to adjust the pH to 4-6, and the obtained acidic water is returned to the surface layer of the reservoir to make the pH of the surface layer water neutral or weak acidic in the process of mixing diffusion.例文帳に追加

酸を添加するには、表層のｐＨをｐＨ計6 で測定し、ｐＨ調節計2 の信号によりポンプあるいはバルブよりなる酸調整装置3 を制御し、酸を混合槽4 へ供給して水と混合する。 - 特許庁