si-3とは 意味・読み方・使い方

Cr(%)≤(1/3)(6.5-Ni(%))1/2...(1) Pcm=C+ Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10...(2).例文帳に追加

Cr (％) ≦(1/3)(6.5 −Ni (％))^1/2 ・・・・・(1) Pcm ＝Ｃ＋Si/30 ＋Mn/20 ＋Cu/20 ＋Ni/60 ＋Cr/20 ＋Mo/15 ＋V/10・・・・・(2) - 特許庁

A film containing Ar in a Si oxide amorphous insulator film wherein a quantity of Ar in the film is 3% or more in an atomicity ratio for Si (Ar/Si≥3 at.%) is prepared.例文帳に追加

Si酸化物アモルファス絶縁体膜中にＡｒを含有し、その膜中のＡｒ量がＳｉに対して原子数比で３％以上(Ar/Si ≧ 3 at.%)である膜を作製する。 - 特許庁

An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加

Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁

The coating layer consists of a material containing Si and has a thickness of 3 to 100 μm.例文帳に追加

この被覆層は、Siを含有する材料で構成され、厚さが3〜100μｍである。 - 特許庁

Then, the Si nitride film 3 and the Si oxide film 2 are subjected to an etching process.例文帳に追加

次いで、Ｓｉ窒化膜３及びＳｉ酸化膜２をエッチングする。 - 特許庁

An Si microphone 1 is provided with a sensor 3.例文帳に追加

Ｓｉマイク１は、センサ部３を有している。 - 特許庁

The Si single crystal 1 is curved and the position of the probe 6 is displaced by the bimetal operation between the PZT thin film 3 and the Si single crystal 1.例文帳に追加

ＰＺＴ薄膜３とSi単結晶１とのバイメタル作用により、Si単結晶１が湾曲して探針６の位置が変位する。 - 特許庁

Si (silicon) may be contained in the ionization layer 3.例文帳に追加

イオン化層３にはＳｉ（シリコン）を含めてもよい。 - 特許庁