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Si-1-2とは 意味・読み方・使い方
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遺伝子名称シソーラスでの「Si-1-2」の意味 |
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「Si-1-2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 504件
(1) 3.0≥{([%Si]/2)+[%Mn]+[%Cr]}≥2.4; and (2) 2.5≥[%Al]/[%N]≥1.7.例文帳に追加
3.0 ≧｛（[%Si]/2）＋[%Mn]＋[%Cr]｝≧ 2.4 --- (1) 2.5 ≧ [%Al]／[%Ｎ] ≧ 1.7 --- (2) - 特許庁
Cr(%)≤(1/3)(6.5-Ni(%))1/2...(1) Pcm=C+ Si/30+Mn/20+Cu/20+Ni/60+Cr/20+Mo/15+V/10...(2).例文帳に追加
Cr (％) ≦(1/3)(6.5 −Ni (％))^1/2 ・・・・・(1) Pcm ＝Ｃ＋Si/30 ＋Mn/20 ＋Cu/20 ＋Ni/60 ＋Cr/20 ＋Mo/15 ＋V/10・・・・・(2) - 特許庁
The inequality (1) is denoted by 1.5 (%Mn)-2≤(%Si)≤2(%Mn).例文帳に追加
記 1.5 (％Mn）−２ ≦（％Si) ≦ ２（％Mn） ----（１） - 特許庁
The present invention uses an a-Si TFT 1 and an a-Si TFT 2 having equal photoelectric transfer characteristic.例文帳に追加
光電変換特性が等しいa-Si TFT１とa-Si TFT２を使用する。 - 特許庁
A P-type well region 2 is formed on the surface of an N-type Si substrate 1.例文帳に追加
n型Si基板1の表面に、p型ウェル領域2が形成されている。 - 特許庁
The cushioning layer 31 is provided between the Si substrate 1 and the polymer layer 2 or is provided on the layer 2.例文帳に追加
緩衝層31は、Si基板1とポリマー層2との間に設けたり、ポリマー層2の上に設ける。 - 特許庁
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「Si-1-2」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 504件
O, and ≤0.005% Insol.Al, and satisfying relations [Sol.Al%]≤0.0002×[Cr%]+0.006 and [Sol.Al]≤0.02×([Si%]+[Mn%])+0.006.例文帳に追加
[Sol.Al％]≦0.0002×[Cr％]＋0.006 ・・・ (1) [Sol.Al％]≦0.02×（[Si％]＋[Mn％]）＋0.006 ・・・ (2) - 特許庁
The copper alloy contains 38 to 48% Cu, 1 to 2% Sn, 4 to 20% Pb, 18 to 30% Al and 15 to 25% Si.例文帳に追加
Cu：38 〜48％, Sn：1〜 2％, Pb： 4〜 20％, Al： 18〜30％,及びSi： 15〜 25％を含有する銅合金。 - 特許庁
An Si oxide film 2 and an Si nitride film 3 are successively formed on an Si substrate 1.例文帳に追加
Ｓｉ基板１の上に、Ｓｉ酸化膜２及びＳｉ窒化膜３を順次形成する。 - 特許庁
In the method, two Si lumps of a first solid Si lump 10 and a second solid Si lump 12 are brought into contact via a Ge material 14 which is brazing filler metal and are joined by brazing and soldering using pulsed laser.例文帳に追加
固体状態の第1のSi塊10及び第2のSi塊12の2つのSi塊を、鑞材であるGe材14を介して接触させて、パルスレーザによる鑞接によって接着する方法である。 - 特許庁
A porous Si layer 2 is formed on a single-crystal Si substrate 1 and a p^+-type Si layer 3, a p-type Si layer 4, and an n^+-type Si layer 5 all of which become solar battery layers are formed on the Si layer 2.例文帳に追加
単結晶Ｓｉ基板１上に多孔質Ｓｉ層２を形成し、その上に太陽電池層となるｐ^+ 型Ｓｉ層３、ｐ型Ｓｉ層４およびｎ^+ 型Ｓｉ層５を形成する。 - 特許庁
The metal thin film 4 is grounded and a negative voltage is applied to the Si substrate 1 or the boron nitride film 2.例文帳に追加
金属薄膜４を接地し、Si基板１又は窒化硼素膜２にマイナスの電位をかける。 - 特許庁
This method includes (1) a manufacturing process of the lever 3, (2) a manufacturing process of the Si chip 2, and (3) a bonding process of the Si chip 2 and the lever 3.例文帳に追加
（１）レバー３の製造工程、（２）Ｓｉチップ２の製造工程、（３）Ｓｉチップ２とレバー３の接合工程とからなる。 - 特許庁
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