silicidation reactionとは 意味・読み方・使い方

To provide a method of forming a film where contact resistance is reduced by sufficiently carrying out silicidation reaction.例文帳に追加

シリサイド化反応を十分に行わせることによってコンタクト抵抗を低減化させることが可能な成膜方法である。 - 特許庁

To prevent a microcrystal silicon thin film from being peeled by suppressing excessive silicidation reaction between the microcrystal silicon thin film and a metal thin film.例文帳に追加

マイクロクリスタルシリコン薄膜と金属薄膜との過剰なシリサイド化反応を抑制して、マイクロクリスタルシリコン薄膜の膜剥れを防止する。 - 特許庁

Additionally, the silicide layer 30 contains a silicidation reaction suppressing metal, and has a concentration profile, wherein concentration of the silicidation reaction suppressing metal becomes higher, from the surface of the silicide layer 30 as going toward the substrate side, in a region from the surface of the silicide layer 30 to a predetermined depth.例文帳に追加

また、シリサイド層３０はシリサイド化反応抑制金属を含み、シリサイド層３０の表面から所定の深さに至る領域において、シリサイド層３０の表面から基板側へ向かってシリサイド化反応抑制金属の濃度が高くなる濃度プロファイルを有する。 - 特許庁

In the heater CVD system where a heater wire 1 stretched inside a reaction vessel is heated, raw material gas molecules are thermally decomposed at the surface of the heater wire 1, and a film composed of silicon or silicone is deposited on a substrate, the low temperature part in the heater wire 1 is surrounded by silicidation preventive materials 5, 7 composed of a metal to be subjected to silicidation.例文帳に追加

反応容器内に張られたヒータ線１を加熱し、ヒータ線１の表面で原料ガス分子を熱分解し、基板上に、シリコン又はシリコン化物からなる膜を堆積させる発熱体ＣＶＤ装置において、ヒータ線１の低温部分を、シリサイド化される金属からなるシリサイド化防止材５、７により包囲する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device including a silicon oxide layer whereby it is possible to prevent the occurrence of a silicon coating and particles in a reaction chamber, prevent metal silicidation, and prevent a metal layer from being oxidized.例文帳に追加

反応チャンバ内にシリコンコーティングが発生してパーティクルが発生することを抑制すると同時に、金属シリサイド化を防止し、さらに、金属層の酸化を防止できるシリコンオキシド層を含む半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device in which a silicide region and a non-silicide region are mixed such that poor silicide forming due to remaining silicide protection film between narrow gate electrodes of the silicide region, is prevented, and silicidation reaction in the non-silicide region is also surely prevented.例文帳に追加

シリサイド領域と非シリサイド領域が混在する半導体装置において、シリサイド領域の狭ゲート電極間にシリサイドプロテクション膜残りによるシリサイド形成不良を防止し、非シリサイド領域において確実にシリサイド化反応を防止する製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent siloxane resin composition for optical use applicable to various optical applications by thermal cure of (1) a vinyl-oligosiloxane hybrid, and (2) an organic hydrogen silicone compound including 2 or more silicon-bound hydrogens, (3) through a hydrogen silicidation reaction in the presence of a metal catalyst.例文帳に追加

(１)ビニルオリゴシロキサンハイブリッドと、(２)二つ以上の珪素結合水素を含有する有機水素珪素化合物と、(３)メタル触媒下で水素珪素化反応を通じて熱硬化させることにより、多様な光学用応用できる光学用透明シロキサン樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁