type Siとは 意味・読み方・使い方

The upper Si oxide film and the Si nitride film 5 inside the ONO gate insulating film G are separated from the Si nitride film 9 inside the anti-reflection film F in a region over the P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

ONOゲート絶縁膜G内の上のSi酸化膜6及びSi窒化膜5と、反射防止膜Fの内のSi窒化膜9とをp^+型チャネル阻止領域12上の領域で切り離している。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

A nitride ferroelectric film 4, that is made of Sr2NbN3, is formed on a p-type Si substrate 1.例文帳に追加

p型Si基板１上にSr_2NbN_3からなる窒化物強誘電体膜４を形成する。 - 特許庁

An i-type Si semiconductor layer is disposed between an n-type Si semiconductor layer or p-type Si semiconductor layer and an i-type Si_xGe_1-x semiconductor layer (where 0≤x≤0.6).例文帳に追加

ｎ型Ｓｉ半導体層又はｐ型Ｓｉ半導体層とｉ型Ｓｉ_ｘＧｅ_１−ｘ半導体層（但し、０≦ｘ≦０．６）の間に、ｉ型Ｓｉ半導体層を配置することとした。 - 特許庁

For example, a-Si film 13 and n^+-type a-Si film 15 accomplish the bank.例文帳に追加

例えば、ａ−Ｓｉ膜１３とｎ＋型ａ−Ｓｉ膜１５とがバンクを成している。 - 特許庁

An n-type poly-Si resistor 7 and a p-type poly-Si resistor 8 in which the ratio of their height to their width is at one or higher are formed at the beam 15.例文帳に追加

梁１５には、高さ／幅が１以上のｎ型およびｐ型ポリＳｉ抵抗７，８が形成される。 - 特許庁

PRECIPITATION-HARDENING TYPE Al-Si BASED ALUMINUM ALLOY CASTING例文帳に追加

析出硬化型Ａｌ−Ｓｉ系アルミニウム合金鋳物 - 特許庁

Al-Mg-Si TYPE ALUMINUM COMPOUND EXTRUSION MATERIAL例文帳に追加

Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系アルミニウム合金押出形材 - 特許庁