teg-1とは 意味・読み方・使い方

The TEG pattern includes a plurality of element isolation film patterns 123 with a predetermined space between; an active region pattern 125 formed between these element isolation film patterns 123; and a metal 1 contact pattern 127 formed in the active region pattern 125.例文帳に追加

テグパターンは、所定の間隔を置いて複数で形成される素子分離膜パターン１２３と、該素子分離膜パターン１２３の間に形成されたアクティブ領域パターン１２５と、及びアクティブ領域パターン１２５内に形成されたメタル１コンタクトパターン１２７とを含む。 - 特許庁

This failure position detecting method includes irradiating an X ray 3 from an X ray source 1 toward a semiconductor device 7, scanning, measuring a current value which flows out from a conductive layer (TEG pattern 8) of the semiconductor device 7 by a current meter 6, and detecting a failure position in the conductive layer.例文帳に追加

半導体装置７にＸ線源１からＸ線３を照射し、走査して、この半導体装置７の導電層（ＴＥＧパターン８）から流出する電流の値を電流計６で測定し、導電層内の欠陥位置を検出するようにした欠陥位置検出方法。 - 特許庁

In addition, it is unnecessary to retain the metal wiring 22-1 of the TEG 30 in the scribe line area 10 by a protection film 40, and a distance between the protection film 40 and the dicing saw is made large enough, thereby preventing shortening of the service life of the dicing saw due to the adhesion of the protection film 40.例文帳に追加

また、スクライブ線領域１０のＴＥＧ３０の金属配線２２−１を保護膜４０で押さえる必要がなく、保護膜４０とダイシングソーとの距離を十分に広げて、保護膜４０が付着してダイシングソーの寿命が短くなることを防ぐことができる。 - 特許庁

The TEG chip has metal wiring including at least one metal layer buried in an insulating film 13 formed on a semiconductor substrate 1, at least two pad electrode for electric characteristic evaluation formed on an upper surface of the insulating film 13, and at least one pad electrode 3 for bonding evaluation formed on the insulating film surface.例文帳に追加

半導体基板１上に形成された絶縁膜１３に埋め込まれた少なくとも一層の金属層からなる金属配線と、絶縁膜１３表面に形成された少なくとも２つの電気特評価用パッド電極２と、絶縁膜表面上に形成された少なくとも１つのボンディング評価用パッド電極３とを具備している。 - 特許庁

The semiconductor device includes a plurality of evaluated elements (TEG) 2, a monitoring element 4 for monitoring a current value or voltage value applied to the plurality of evaluated elements 2 respectively, a plurality of first electrode pads 1 connected to respective one ends of the plurality of evaluated elements 2, and a second electrode pad 3 connected to one end of the monitoring element 4.例文帳に追加

半導体装置は、複数の被評価素子（ＴＥＧ）２と、複数の被評価素子２のそれぞれに印加される電流値又は電圧値をモニタするモニタ用素子４と、複数の被評価素子２のそれぞれの一端と接続された複数の第１の電極パッド１と、モニタ用素子４の一端と接続された第２の電極パッド３とを有している。 - 特許庁

In the semiconductor device which comprises a circuit component 30 formed in a semiconductor substrate constituted as a chip, and an electrode pad 10 formed in the upper layer for electrically connecting the circuit component outside; the test element (TEG element) 20, not electrically connected to the electrode pad, is provided in the silicon substrate 1 of the lower layer region of the electrode pad 10.例文帳に追加

チップとして構成される半導体基板に形成された回路素子３０と、その上層に形成され、回路素子を外部に電気接続するための電極パッド１０を備える半導体装置において、電極パッド１０の下層領域のシリコン基板１に電極パッドに電気接続されていないテスト素子（ＴＥＧ素子）２０を備える。 - 特許庁

If the electrical characteristic defects of one semiconductor chip is detected when a semiconductor wafer 1 is subjected to a probe test, the characteristic defects of the defective semiconductor chip can be detected in accordance with the test result of the probe test in the TEG closest to the failure region or a dimensional variation in one shot, to realize quick feedback to a manufacturing process, so that the manufacturing yield of semiconductor devices can be improved.例文帳に追加

半導体ウエハ１のプローブテスト時に、ある半導体チップの電気的特性不良が検出されると、その不良領域に最も近いＴＥＧにおけるプローブテストの検査結果、あるいはショット内寸法ばらつきなどから、不良の半導体チップにおける特性不良を検出することによって早期に製造工程へのフェードバックが可能となり、半導体装置の製造歩留まりを向上することができる。 - 特許庁