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thermal oxidation furnaceとは 意味・読み方・使い方
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「thermal oxidation furnace」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
In the method for forming a thermal oxidation film, a tunnel oxidation film is formed on a surface of a silicon substrate 1 within a heated furnace.例文帳に追加
本発明に係る熱酸化膜の形成方法は、加熱した炉内でシリコン基板１の表面にトンネル酸化膜を形成するものである。 - 特許庁
To provide the thermal decomposition apparatus for polymer waste which can suppress the oxidation of a carbide left in the thermal decomposition furnace after thermal decomposition of the polymer waste.例文帳に追加
高分子系廃棄物の熱分解後の熱分解炉内に残る炭化物の酸化を抑えることが可能な高分子系廃棄物の熱分解装置を提供する。 - 特許庁
To provide a furnace bottom electrode fire brick capable of preventing oxidation even when a clearance is formed between a furnace bottom electrode and a fire brick disposed around the furnace bottom electrode by repeated thermal expansion and contraction of the furnace bottom electrode and the fire brick caused by increase and decrease of a temperature in the furnace.例文帳に追加
炉内の温度上昇下降により炉底電極や耐火煉瓦の熱膨張収縮が繰り返され、該炉底電極と該炉底電極の周囲に配置された耐火煉瓦間に間隙が形成されても酸化防止を図ることができる炉底電極耐火煉瓦を提供する。 - 特許庁
To provide a method for producing an oxide dispersion type alloy which has excellent oxidation resistance and thermal strength, and is used at high temperatures, e.g., for a boiler tube in heat generation or the like, a furnace core tube of a heat treatment furnace or the like, a reaction tube of a chemical plant, a skid rail of a heating furnace or the like.例文帳に追加
発電等のボイラチューブ、熱処理炉等の炉心管、化学プラントの反応管、加熱炉などのスキッドレール等の高温度で使用される耐酸化性、耐熱強度に優れた酸化物分散型合金の製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a structure enabling prevention of distortion due to thermal expansion of an inner wall of the furnace and also effective prevention of furnace contamination due to generation of dust from oxidation of a component and a heater in a high-temperature burning furnace having air-right structure requiring high cleanliness.例文帳に追加
高いクリーン度が要求される気密構造の高温焼成炉において、炉の内壁の熱膨張等による歪みを防止するとともに、構成材の酸化やヒーターからの発塵による炉内汚染を効果的に防止できるような構造を提供する。 - 特許庁
To provide a thermal spraying material used for repairing a refractory damaged part of an industrial furnace of a metal melting container, wherein the thermal spraying material is easily and excellently thermally deposited on a material to be repaired by melting the refractory particles and low melting point particles using an exothermic oxidation reaction of metal particles contained in the thermal spraying material.例文帳に追加
工業炉、金属溶融容器の耐火物損耗部位の補修に使用する溶射材料について、その材料に含まれる金属粒子の酸化発熱反応により、耐火性粒子、低融点粒子を溶融して被補修体に容易に良好に溶着させることにある。 - 特許庁
Thus the oxidation of the face coated with the metallic plate 61 can be prevented even when thermal expansion and contraction of the furnace bottom electrode fire brick 60A and the peripheral fire brick are repeated by repeated increase and decrease of the temperature in the plasma furnace, and the clearance is formed between the furnace bottom electrode fire brick 60A and the peripheral fire brick.例文帳に追加
プラズマ炉内の温度上昇下降が繰り返されることにより炉底電極耐火煉瓦６０Ａや周囲の耐火煉瓦の熱膨張収縮が繰り返され、炉底電極耐火煉瓦６０Ａと周囲の耐火煉瓦間に間隙が形成されても、金属板６１により覆われた面の酸化防止がされる。 - 特許庁
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「thermal oxidation furnace」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 12件
A semiconductor substrate 100, wherein a natural oxide layer 102 is naturally generated is put in a furnace or an RTO chamber (rapid thermal oxidation chamber) and a hot hydrogen gas is introduced into the chamber so that the natural oxide layer 102 is deoxidized.例文帳に追加
自然酸化物層が自然生成された半導体基板を、炉内またはＲＴＯ室（急速熱酸化室）に入れ、高温水素ガスを室内に導入して自然酸化物層を脱酸する。 - 特許庁
The method includes steps of a thermal oxidation film of 25-45 angstroms thick on the surface of the silicon substrate 1, by loading the substrate 1 into the furnace while introducing an N2 gas having 1% of O2 gas added therein, and thereafter forming a thermal oxidation film of 100 angstroms or less on the substrate 1.例文帳に追加
この方法は、加熱した炉内に１％のＯ_２ガスを添加したＮ_２ガスを導入しながら、前記炉内にシリコン基板１をローディングすることにより、シリコン基板１の表面上に２５〜４５オングストロームの熱酸化膜を形成する工程と、その後、シリコン基板１の表面上に１００オングストローム以下の熱酸化膜を形成する工程と、を具備するものである。 - 特許庁
To realize a semiconductor device having enhanced uniformity in the film thickness and characteristics of a semiconductor substrate by providing a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace in which halogen gas or N2O gas can reach a wafer under thermally decomposed state when thermal oxidation is conducted in an atmosphere containing halogen gas or N2O gas using a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace.例文帳に追加
コールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を用いてハロゲンガスあるいはＮ_２Ｏガスを含んだ雰囲気で熱酸化を行う際に、ハロゲンガスやＮ_２Ｏガスがウェーハ直上ではなく、事前に加熱分解された状態でウェーハに到達することが可能なコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉を提供し、半導体基板の膜厚や特性の均一性を向上させた半導体装置を提供する。 - 特許庁
To provide a biomass conversion type gas generator of a new structure facilitating improvement in operational safety and stability, and enabling efficient collection of useful combustible gases, by supplying air uniformly dispersed in the furnace thereby stably conducting oxidation and thermal decomposition reaction of biomass.例文帳に追加
炉内への空気の供給が均一に分散されて、バイオマスの酸化や熱分解反応が安定して行われることにより、有用な可燃性ガスが効率的に採取され得ると共に、操業の安全性および安定性が有利に向上され得る新規な構造のバイオマス変換式ガス発生装置を提供すること。 - 特許庁
In a cold wall type single wafer processing lamp heating furnace where oxidizing gas is produced after thermal decomposition and thermal oxidation is conducted using a reactive gas for forming an oxide film on a semiconductor substrate, a plurality of heating lamps 3 are arranged above the semiconductor substrate 1 placed in a reaction chamber 2 and a plurality of gas introduction holes 22 are made between the heating lamps 3 in order to introduce the reaction gas.例文帳に追加
加熱分解した後に酸化性ガスを生成し、半導体基板に酸化膜を形成する反応性ガスを用いて熱酸化を行うコールドウォール型枚葉式ランプ加熱炉において、半導体基板１を収容する反応チャンバー２の、半導体基板の上方に複数の加熱用ランプ３を設け、さらに加熱用ランプ３の間において複数のガス導入孔２２を形成し、このガス導入孔を通して反応性ガスを導入するように構成したことを特徴とする。 - 特許庁
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