tin-113とは 意味・読み方・使い方

As the gold-tin layers 113, 123, gold-tin eutectic composition solder having a gold content of about 80% by weight is used.例文帳に追加

金スズ層１１３，１２３としては、金の含有量が概ね８０重量パーセントの金スズ共晶組成ハンダが用いられる。 - 特許庁

After the quality of the TiN film is improved by exposing the surface of the TiN film under plasma, a W film 113 is deposited by a CVD method using WF_6 and SiH_4.例文帳に追加

ＴｉＮ膜の表面をプラズマに暴露してＴｉＮ膜の改質を行った後、ＷＦ_6とＳｉＨ_4を用いたＣＶＤ法によりＷ膜１１３を堆積する。 - 特許庁

The lower electrode 110 of the capacitive element has a metal film 111 which is, for example, a Ti film, and TiN film 113 formed on the metal film 111.例文帳に追加

容量素子の下部電極１１０は、例えばＴｉ膜である金属膜１１１と、金属膜１１１上に形成されたＴｉＮ膜１１３とを有する。 - 特許庁

The semiconductor device further includes an insulating film 142 covering the capacitive element, and the via interconnect 150 penetrating the insulating film 142 to come into contact with the TiN film 113 of the lower electrode 110.例文帳に追加

半導体装置は更に、容量素子を覆う絶縁膜１４２と、絶縁膜１４２を貫通して下部電極１１０のＴｉＮ膜１１３と接触するビア配線１５０とを含む。 - 特許庁

Gold-tin layers 113 and 123 are respectively interposed for interconnection between the pairs of p-type thermoelectric semiconductor element 13a and n-type thermoelectric semiconductor element 13b and the land 111 of the ceramic substrate 11 and the land 121 of the ceramic substrate 12.例文帳に追加

各対のＰ型熱電半導体素子１３ａ，Ｎ型熱電半導体素子１３ｂと、セラミック基板１１のランド部１１１並びにセラミック基板１２のランド部１２１との間は、それぞれ金スズ層１１３，１２３により接合される。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate; an interlayer insulating film 101 provided above the semiconductor substrate; and a laminate provided on the interlayer insulating film 101 and constituted of a Ti film 105, a TiN film 107, an AlCu film 109, another Ti film 111, another TiN film 113, and an etching adjusting film 115 which are laminated sequentially.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板の上部に設けられている層間縁膜１０１と、この層間絶縁膜１０１上に設けられており、Ｔｉ膜１０５と、ＴｉＮ膜１０７と、ＡｌＣｕ膜１０９と、Ｔｉ膜１１１およびＴｉＮ膜１１３と、エッチング調整膜１１５と、が順に積層されてなる積層体と、を備える。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with the interlayer insulating film 101; another interlayer insulating film 103 provided on the laminate; and the conductive plug penetrating through the interlayer insulating film 103 and the etching adjusting film 115 while being constituted of the other Ti film 117, the other TiN film 119, and a W film 121, and whose end surface is positioned in the TiN film 113.例文帳に追加

半導体装置は、層間絶縁膜１０１および積層体上に設けられている層間絶縁膜１０３と、層間絶縁膜１０３およびエッチング調整膜１１５を貫通し、端面がＴｉＮ膜１１３中に位置しているＴｉ膜１１７、ＴｉＮ膜１１９およびＷ膜１２１からなる導電プラグと、を備える。 - 特許庁