tin-13とは 意味・読み方・使い方

Thus the AlCu film 14 width is made narrower than the width of the Ti/TiN film 13, and the Ti/TiN film 15 width is made narrower than the width of the film 14.例文帳に追加

従って、ＡｌＣｕ膜１４の幅はＴｉ／ＴｉＮ膜１３の幅より狭く、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１５の幅はＡｌＣｕ膜１４の幅より狭くなる。 - 特許庁

When forming the indium, tin and silicon oxide film 13 using indium, tin, silicon and oxygen targets, the oxygen concentration of sputtering gas is set to ≥30%.例文帳に追加

そして、インジウム・錫・珪素・酸素ターゲットを用いて、インジウム・錫・珪素酸化膜１３を形成する際のスパッタガスの酸素濃度は３０％以上とする。 - 特許庁

A first layer 13 formed of tin and a second layer 14 formed of a metal capable of forming an alloy with tin are formed in each opening in that order.例文帳に追加

該開口部内にスズからなる第１の層１３及びスズと合金の形成可能な金属からなる第２の層１４をこの順で形成する。 - 特許庁

Cl2, Ar and CF4, and an AlCu film 14 and a Ti/TiN film 13 are etched through a mask using the resist film by RIE(reactive ion etching).例文帳に追加

次に、前記レジスト膜をマスクとして、ＡｌＣｕ膜１４、Ｔｉ／ＴｉＮ膜１３がＲＩＥによりエッチングされる。 - 特許庁

Tin plating 6, 13 is applied to both of the outer surface 5a of each strand 5 and the wire connection portion 9.例文帳に追加

そして、複数の素線５それぞれの外表面５ａと、電線接続部９と、の双方に錫鍍金６，１３が施されている。 - 特許庁

A first layout 1-L1 in a semiconductor device 1 consists of a TiN film 1-11, an Al alloy film 1-12, a TiN film 1-13 and a Ta film 1-14, and a second layout 1-L2 consists of a TiN film 1-41, an Al alloy film 1-42, a TiN film 1-43 and a Ta film 1-44.例文帳に追加

半導体装置１における第１配線１−Ｌ１は，ＴｉＮ膜１−１１，Ａｌ合金膜１−１２，ＴｉＮ膜１−１３，およびのＴａ膜１−１４から構成されており，第２配線１−Ｌ２は，ＴｉＮ膜１−４１，Ａｌ合金膜１−４２，ＴｉＮ膜１−４３，およびＴａ膜１−４４から構成されている。 - 特許庁

Even if bending etc., are thereafter performed, the void parts 14 exist in the tin plating film 13 and therefore, the external stress is released.例文帳に追加

その後に曲げ加工等が行われても、錫めっき膜１３中に空隙部１４が存在しているため、外部応力が緩和される。 - 特許庁

The thickness of a common electrode 13 constituted of an indium tin oxide (ITO) is turned to be equal to or more than 80 nm and less than 100 nm.例文帳に追加

インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）により構成された共通電極１３の厚さを、８０ｎｍ以上１００ｎｍ未満とする。 - 特許庁