tin-10とは 意味・読み方・使い方

In this epitaxial silicon wafer, an epitaxial film is made on the sub wafer constituted of silicon single crystals, where boron concentration is 4×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3 and the concentration of tin is 1×10^18 to 2×10^19 atoms/cm^3.例文帳に追加

ボロンの濃度が4×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３で、錫の濃度が1×10^１８〜2×10^１９atoms/cm^３であるシリコン単結晶によるサブウェーハ上に、エピタキシャル膜が形成されているエピタキシャルシリコンウェーハ。 - 特許庁

This organic EL rod 10 has an anode 11 (formed of, for instance, ITO: Indium Tin Oxide) formed into a rod-like shape in its center.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬ棒１０は、その中心に、棒状の形を呈したアノード１１（例えばＩＴＯ；Indium Tin Oxideから成る）を有している。 - 特許庁

In the partially oxidized state, this catalyst contains at least 10% tin in the form of reduced tin species in the oxidized state 0.例文帳に追加

部分酸化状態において、本発明の触媒は、酸化状態０で還元スズ種形態でスズを少なくとも１０％含む。 - 特許庁

A target feeder 10 supplies an ionizer 20 with a target material such as tin.例文帳に追加

ターゲット供給器１０は、イオン化器２０に錫等のターゲット物質を供給する。 - 特許庁

The ratio of zinc and tin in the zinc-tin alloy is about zinc/tin = 30/70-90/10 weight ratio, and further, 0.0005-0.015 pt.wt. of aluminum to 100 pts.wt. of the total of zinc and tin, may be contained.例文帳に追加

亜鉛−スズ合金における亜鉛とスズとの割合は、亜鉛／スズ＝３０／７０〜９０／１０（重量比）程度であり、亜鉛とスズとの合計１００重量部に対して、０．０００５〜０．０１５重量部程度の割合でアルミニウムを含んでよい。 - 特許庁

The bonding structure is provided with a substrate 10, an non-oxide adhesive layer 20, and an indium tin oxide film 30.例文帳に追加

基板１０と、非酸化物接着層２０と、酸化インジウムスズ膜３０とを備える。 - 特許庁

For example, each selection circuit is made to operate such that Tout[0] is input to the arithmetic core 10[1] as Tin[1] and that Tout[1] is input to the arithmetic core 10[2] as Tin[2].例文帳に追加

例えば、Ｔｏｕｔ［０］をＴｉｎ［１］として演算コア１０［１］に入力し、Ｔｏｕｔ［１］をＴｉｎ［２］として演算コア１０［２］に入力するように各選択回路を動作させる。 - 特許庁

Indium ions are implanted into a TiN film 10 which is the gate electrode on the condition that they do not reach the gate insulation film 9, to form an In ion implanted layer 12 in the TiN film 10.例文帳に追加

ゲート絶縁膜９に達しない条件で、ゲート電極であるＴｉＮ膜１０中にインジウムイオンを注入し、ＴｉＮ膜１０中にＩｎイオン注入層１２を形成する。 - 特許庁