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boron ionsとは 意味・読み方・使い方
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「boron ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 86件
Ions containing boron are implanted in a silicon substrate 1.例文帳に追加
シリコン基板1中にボロンを含むイオンを注入する。 - 特許庁
METHOD OF AND DEVICE FOR MEASURING CONCENTRATION OF HYDROGENATED BORON IONS AND MEASURING INSTRUMENT例文帳に追加
水素化ホウ素イオン濃度の測定方法及び測定装置 - 特許庁
The substance with the anionic-exchange function draws boron ions and performs a part of collecting the boron ions around the oxide hydrate of the rare earth element.例文帳に追加
陰イオン交換能を有する物質がホウ酸イオンを引き寄せ、希土類元素の含水酸化物近傍へホウ酸イオンを集める役割を果たす。 - 特許庁
Disclosed is an acidic metal surface treatment liquid which comprises vanadium ions and/or vanadyl ions and one or more kinds selected from the group consisting of organic acid ions, nitric acid ions, sulfuric acid ions, the oxygen acid ions of phosphorous, the oxygen acid ions of boron and the oxygen acid ions of chlorine, and does not comprise chromium.例文帳に追加
バナジウムイオン及び/又はバナジルイオンと、有機酸イオンと、硝酸イオン、硫酸イオン、燐の酸素酸イオン、硼素の酸素酸イオン、塩素の酸素酸イオンからなる群から選ばれる一種以上とを含有し、クロムを含有しない酸性の金属表面処理液。 - 特許庁
This water absorbing agent consists of a crosslinked body obtained by crosslinking galactomannan with titanium ions and boron ions.例文帳に追加
ガラクトマンナンがチタンイオン及びホウ素イオンにより架橋された架橋体からなることを特徴とする吸水剤。 - 特許庁
ION IMPLANTATION DEVICE AND SEMICONDUCTOR MANUFACTURING METHOD EMPLOYING IMPLANTATION OF BORON HYDRIDE CLUSTER IONS例文帳に追加
水素化ホウ素クラスターイオンの注入によるイオン注入装置及び半導体製造方法 - 特許庁
Nickel silicide aggregation reaction is suppressed when the nitrogen ions and boron ions are implanted, respectively, in each transistor.例文帳に追加
各トランジスタにおいて、窒素イオン及びホウ素イオンがそれぞれ注入されておれば、ニッケルシリサイド凝集反応が抑制される。 - 特許庁
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「boron ions」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 86件
To provide a purification treatment method for boron-containing water where boron is removed from boron-containing water containing carbonate ions by utilizing the adsorption reaction and desorption reaction of boron using the hydroxide of a rare earth element, by which carbonate ions are beforehand economically and efficiently removed from the boron-containing water, thus boron is efficiently removed.例文帳に追加
炭酸イオンを含有するホウ素含有水から、希土類元素水酸化物を用いホウ素の吸着反応と脱着反応を利用してホウ素を除去する浄化処理方法において、該ホウ素含有水から予め炭酸イオンを経済的かつ効率的に除去し、これにより効率的にホウ素を除去するホウ素含有水の浄化処理方法を提供する。 - 特許庁
Boron-containing water is adjusted in the range of pH 10-12.5 in the presence of aluminum ions, sulfuric acid ions and calcium ions which are reaction compounds and a deposited precipitate is removed.例文帳に追加
ホウ素含有水を反応化合物であるアルミニウムイオン、硫酸イオン、カルシウムイオンの存在下にpH10〜12.5の範囲で調整して析出する澱物を除去する。 - 特許庁
An object can be disinfected by being irradiated with lithium ions and/or boron ions by a unipolar south-pole magnetism with high disinfection efficiency.例文帳に追加
リチウムイオン及び/又はホウ素イオンを単極性S極の磁気により対象物に照射して殺菌することができ、殺菌効果が高い。 - 特許庁
Then boron-introduced areas 2 which become low-concentration n-type areas are formed by selectively implanting boron ions into the source-drain areas 3.例文帳に追加
次に、ソース−ドレイン領域3の内部に選択的にボロンをイオン注入することにより、低濃度のn型領域となるボロン導入領域2を形成する。 - 特許庁
After injecting boron ions 7 into the polysilicon germanium film 6, patterning is performed, and a gate electrode 6a is formed.例文帳に追加
ポリシリコンゲルマニウム膜6にボロンイオン7を注入した後、パターニングしてゲート電極6aを形成する。 - 特許庁
In order to form a P body 4a, boron ions are implanted into the pattern 3b from its edge by self alignment.例文帳に追加
Pボディ4aを形成するために、ポリシリコンパターン3bのエッジからセルフアラインでボロンを注入する。 - 特許庁
Next, an impurity implanting region 11 is formed by implanting boron ions into the surface of the wafer.例文帳に追加
次にウェハ表面にホウ素イオンを注入することにより不純物注入領域11を形成する。 - 特許庁
By using the resist pattern 21 as a mask, P-type impurity (e.g., boron (B)) ions are implanted.例文帳に追加
その後、そのレジストパターン21をマスクとして用いて、p型不純物(例えば、ボロン(B))のイオン注入を行う。 - 特許庁
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