boron implantationとは 意味・読み方・使い方

From the upper part side of a silicon substrate 2, a p-type impurity such as boron is implanted by using a technology of implantation.例文帳に追加

シリコン基板２の上方側からインプランテーション技術によりボロン等のｐ型の不純物を導入する。 - 特許庁

Further, the mask 13M for ion implantation is used to carry out the selective ion implantation of aluminum (^27Al^+) from the surface of the n-type epitaxial growth layer 12 shallower than the boron.例文帳に追加

更に、イオン注入用マスク１３Ｍを用いて、ｎ型エピタキシャル成長層１２の表面から、ボロンよりも浅い位置にアルミニウム（^27Ａｌ^+）の選択イオン注入を行う。 - 特許庁

The ion implantation of phosphor that forms an N well region 53 on the whole surface of a silicon substrate 51 is performed and then the ion implantation of boron that forms a P well region 54 is performed.例文帳に追加

シリコン基板５１の全面にＮウエル領域５３を形成するリンのイオン注入を行い、その後にＰウエル領域５４を形成するボロンのイオン注入を行う。 - 特許庁

In this case only respective transistors in the pixel part are masked and boron is injected into other regions by ion implantation.例文帳に追加

これは、画素部の各トランジスタだけにマスクを施し、その他の領域について、イオン注入によってボロンを注入する。 - 特許庁

Since a thinning stop layer containing silicon grains, silicon oxide and boron is present on a wafer surface layer, an implantation defect of oxygen ions is captured by boron, and the occurrence frequency of film formation defects of an epitaxial film caused due to the implantation defect can be reduced.例文帳に追加

シリコン粒、シリコン酸化物、ボロンを含む薄膜化ストップ層がウェーハ表層に存在するので、酸素イオンの注入欠陥をボロンが捕獲し、この注入欠陥を原因としたエピタキシャル膜の成膜欠陥の発生頻度を低減できる。 - 特許庁

To provide a PN junction interface that prevents enhanced diffusion caused by an uneven stress during high temperature annealing for recovering from implantation damage after boron ion implantation into a wafer and achieves a superior flatness.例文帳に追加

ウェーハへのボロンのイオン注入後における、注入損傷回復の高温アニールにおいて、応力の不均一から生ずる増速拡散を防止し、平坦性の良いＰＮ接合界面の提供。 - 特許庁

Further, the polycrystalline silicon film 3 is patterned like a gate electrode, and impurities (boron) are applied to the entire surface through ion implantation, and it is heat-treated thereafter.例文帳に追加

多結晶シリコン膜３をゲート電極形状にパターニングした後、全面に不純物（ボロン）をイオン注入し、熱処理を施す。 - 特許庁

Thereafter, boron for preventing parasitic channel is introduced into the Si layer 5 at the channel region end of the transistor by oblique ion implantation, for example.例文帳に追加

次に、例えば斜めイオン注入によって、トランジスタのチャネル領域端部のＳｉ層５に寄生チャネル防止用のボロンを導入する。 - 特許庁