bare faceとは 意味・読み方・使い方

A bare hole 18 is formed in the semiconductor substrate 11, and a diaphragm part 19 is formed between the bare hole 18 and the upper face of the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１には、ビアホール１８が形成され、ビアホール１８と半導体基板１１の上面との間にダイアフラム部１９が形成されている。 - 特許庁

A bare chip 11 provided with bumps 15 is bonded, on the back face thereof, to a chip mounting base 16 having good thermal conductivity and a larger diameter than the bare chip 11 to constitute a bare chip assembly 10.例文帳に追加

１１はバンプ１５を備えたベアチップであり、このベアチップ１１は該ベアチップ１１表面より大径の熱伝導性の良好なチップマウント用台座１６にその背面が接合されて、ベアチップ組立体１０を構成している。 - 特許庁

To improve electric reliability having a structure where a bare chip semiconductor device is face-down mounted on a circuit board.例文帳に追加

ベアチップ型半導体装置が回路基板にフェイスダウン実装された構造の電気的信頼性を改善する。 - 特許庁

To provide a battery pack capable of coupling an internal frame at an accurate position of a bare cell, by forming a pair of ribs so that they extend in a flat-face part side of the bare cell.例文帳に追加

内部フレームにベアセルの平面部側に延びるように一対のリブを形成して、ベアセルの正確な位置に内部フレームを結合させることができるバッテリパックを提供する。 - 特許庁

In one of the chip connection terminals 30B, mounting faces to the bare chip diode 70 are set up at two locations, and one mounting face thereof is connected to the N side area 71 (cathode side) of the bare chip diode 70 and the other mounting face thereof is connected to the P side area 72 (anode side) of the bare chip diode 70.例文帳に追加

チップ接続端子３０Ｂのうちの一つにはベアチップダイオード７０に対する載置面が二箇所に設定されており、このうちの一方の載置面にはベアチップダイオード７０のＮ側領域７１（カソード側）が接続され、他方の載置面にはベアチップダイオード７０のＰ側領域７２（アノード側）が接続されている。 - 特許庁

The term "Magaibutsu" refers to Buddha statues which were carved into the natural rock face or bare rock or the rock scattered on mountains including an alcove of rock face.発音を聞く 例文帳に追加

磨崖仏（まがいぶつ）は、そそり立つ岩壁や岩壁を龕状に彫った内側に刻まれるなど、自然の岩壁や露岩、あるいは転石に造立された仏像を指す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is preferable that the Shore hardness of the hard rubber be Hs 70 to 85 and the width of the contact face of the hard rubber to the bare optical fiber is 4 mm or smaller.例文帳に追加

硬質ゴムのショア硬度はHs70〜85程度、硬質ゴムにおける裸光ファイバとの接触面幅は４mm未満が望ましい。 - 特許庁

The overcoat layer 13 is so provided as to extend in a gap formed by the wiring pattern 12 and the semiconductor bare chip 21 and being a region under a bottom surface of the semiconductor bare chip 21 which is a face where the mounted semiconductor bare chip 21 faces the base material 11.例文帳に追加

オーバーコート層１３は、実装された半導体ベアチップ２１がベース材１１と向き合う面である当該半導体ベアチップ２１の底面下の領域であって配線パターン１２と半導体ベアチップ２１とによって形成される間隙に延在するように設けられている。 - 特許庁