bhf-1とは 意味・読み方・使い方

An etching grade when etching the SiO_2 of the gate oxide film 5 with a buffered hydrofluoric acid (BHF about 7%) is 1 nm/sec or more and 3 nm/sec or less.例文帳に追加

ゲート酸化膜５であるSiO_2をバッファードふっ酸(BHF約7%)でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下とした。 - 特許庁

Furthermore, it is desirable that the chemical liquid (HCl/O3/H2O/BHF or DHF) be a substance that DHF or BHF of 1% or less is added to the HCl/O3 water.例文帳に追加

また、薬液（ＨＣｌ／Ｏ_3／Ｈ_2Ｏ／ＢＨＦ又はＤＨＦ）は、ＨＣｌ／Ｏ_3水に１％以下のＤＨＦ又はＢＨＦを添加したものであることが望ましい。 - 特許庁

After a semiconductor layer 1 is formed on a substrate 60 and a gate insulting film 2 which can be etched with BHF at an etching rate of ≤4 nm/sec is formed to cover the semiconductor layer 1, a titanium film 34, an aluminum-containing film 35, and a titanium nitride film 36 are successively formed on the insulating film 2.例文帳に追加

基板上６０に、半導体層１、これを覆うようにＢＨＦによるエッチングレートが４ｎｍ／秒以下のゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上にチタン膜３４、アルミニウムを含む膜３５、窒化チタン膜３６を順次成膜する。 - 特許庁

A semiconductor layer 1 is formed on a substrate 60, a gate insulation film 2 with an etching rate of 4 nm/sec or less by BHF is formed so that the semiconductor layer 1 can be covered, a titanium film 34, a film 35 containing aluminum, and a titanium nitride film 36 are successively formed on the gate insulation film 2.例文帳に追加

基板上６０に、半導体層１、これを覆うようにＢＨＦによるエッチングレートが４ｎｍ／秒以下のゲート絶縁膜２を形成し、ゲート絶縁膜２上にチタン膜３４、アルミニウムを含む膜３５、窒化チタン膜３６を順次成膜する。 - 特許庁

According to the manufacturing process, an inter-layer insulating film 9 is subjected to wet etching with 10:1 BHF followed by dry etching using the same resist mask 10 for the wet etching, to form contact holes 11, 12 consecutively on the inter-layer insulating film 9 and a gate insulating film 4.例文帳に追加

層間絶縁膜９に対する１０：１ ＢＨＦによるウェットエッチングに続いて、同一レジストマスク１０を用いたドライエッチングを行うことにより、層間絶縁膜９およびゲート絶縁膜４にコンタクトホール１１，１２を連続して形成する。 - 特許庁