c Mosとは 意味・読み方・使い方

THIN FILM TRANSISTOR C-MOS INVERTER CIRCUIT USING THIN FILM TRANSISTOR AND MANUFACTURE OF THOSE例文帳に追加

薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いたＣ−ＭＯＳインバータ回路、及びそれらの製造方法 - 特許庁

A MOS capacitor C is connected between two adjacent ones of the lines 10, 11, 13 and 14.例文帳に追加

ＶＳＳ線１０，１３と、ＶＤＤ線１１，１４との間には、ＭＯＳキャパシタＣが接続される。 - 特許庁

The solid-state imaging device comprises an MOS transistor T2 having a source connected with the drain of a MOS transistor T1 having a transfer gate connected with a buried photodiode PD, a MOS transistor T5 having a gate connected with the drain of the MOS transistor T1, and a capacitor C connected with the source of the MOS transistor T5.例文帳に追加

埋込型フォトダイオードＰＤに接続された転送ゲートを備えたＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにソースが接続されたＭＯＳトランジスタＴ２と、ＭＯＳトランジスタＴ１のドレインにゲートが接続されたＭＯＳトランジスタＴ５と、ＭＯＳトランジスタＴ５のソースに接続されたコンデンサＣと、を備える。 - 特許庁

With respect to n-channel MOS transistors TN-A and TN-B and p-channel MOS transistors TP-A and TP-B comprising the level shift circuit, p-channel MOS transistors TP-C and TP-D comprising a current mirror circuit are formed at the drain of the p-channel MOS transistors TP-A and TP-B.例文帳に追加

レベルシフト回路を構成するＮチャネルＭＯＳトランジスタＴＮ‐Ａ、ＴＮ‐ＢおよびＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ‐Ａ、ＴＰ‐Ｂにおいて、ＴＰ‐Ａ、ＴＰ‐Ｂのドレインにカレントミラー回路を構成するＰチャネルＭＯＳトランジスタＴＰ‐ＣおよびＴＰ‐Ｄを構成する。 - 特許庁

When the ferroelectric substance capacitor C holds the data, MOS transistors M3, M4 are turned on, and both ends of the ferroelectric substance capacitor C are brought into a level L.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣのデータ保持のときには、ＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４がオンし、強誘電体キャパシタＣの両端にはＬレベルとなる。 - 特許庁

To reduce noise of a C-MOS image sensor and to shorten a time required for resetting pixels.例文帳に追加

Ｃ−ＭＯＳイメージセンサのノイズを減じ、かつ各ピクセルをリセットするために必要な時間を短縮可能とする。 - 特許庁

The drain and the gate of a MOS transistor T1 are connected to the anode of a photo diode PD with a d-c voltage VPD applied to its cathode, and the drain and the gate of a MOS transistor T3 are connected to the source of the MOS transistor T1.例文帳に追加

カソードに直流電圧ＶPDが印加されたフォトダイオードＰＤのアノードにＭＯＳトランジスタＴ１のドレインとゲートを接続するとともに、このＭＯＳトランジスタＴ１のソースにＭＯＳトランジスタＴ３のドレインとゲートを接続する。 - 特許庁

Specially, a driving part divides the C-MOS switch array 13 and CCD cell array 10 in two dimensions into the upper and lower parts based upon the center position of the C-MOS switch array 13 and independently drives an upper CCD cell array 10A, a lower C-MOS switch array 13B, and a lower CCD cell array 10B.例文帳に追加

特に駆動部がＣ−ＭＯＳスイッチアレイ１３およびＣＣＤセルアレイ１０をＣ−ＭＯＳスイッチアレイ１３の中央位置を基準として平面的に上部および下部に分割し、上部Ｃ−ＭＯＳスイッチアレイ１３Ａ、上部ＣＣＤセルアレイ１０Ａ、下部Ｃ−ＭＯＳスイッチアレイ１３Ｂ、および下部ＣＣＤセルアレイ１０Ｂを独立に駆動する。 - 特許庁