concentration boundary layerとは 意味・読み方・使い方

The storage layer 17 is composed of Co-Fe-B and has a B concentration lower in the vicinity of a boundary face with the insulation layer 16 and the B concentration increases with distance from the insulation layer 16.例文帳に追加

記憶層はＣｏ−Ｆｅ−Ｂで構成されるものであって、かつ絶縁層との界面付近でＢ濃度が低く、絶縁層から遠ざかるに従ってＢ濃度が増大している構成とする。 - 特許庁

In the base layer 3, a p^+ layer 12, whose p-type impurity concentration is higher than an average value of the p-type impurity concentration of the base layer 3 and is smaller in thickness than the base layer is formed adjacent to the boundary between the base layer 3 and p-type polysilicon layer 8.例文帳に追加

ベース層３において、ベース層３とｐ型ポリシリコン層８との界面近傍には、ｐ型不純物濃度がベース層３のｐ型不純物濃度の平均値より高く、厚さがベース層の厚さに比して極めて薄いｐ^+層１２が形成されている。 - 特許庁

The concentration gradient (a) of impurities is set to the lebel between 1E18 and 1E19 in a boundary between an n^--layer 12 and a p^+-layer 13.例文帳に追加

Ｎ^−層１２とＰ^＋層１３との境界面において、不純物の濃度勾配ａを、１Ｅ１８から１Ｅ１９の範囲にしている。 - 特許庁

The power supply pattern of a power supply plane layer 10 and the ground pattern of a ground plane layer are shifted on the same projection surface, thus avoiding the concentration of thermal stress at a boundary 11 of the power supply plane layer 10 and a boundary 21 of the ground plane layer.例文帳に追加

電源プレーン層１０の電源パターンとグランドプレーン層のグランドパターンとを同一投影面上でずらし、電源プレーン層１０の境界部１１とグランドプレーン層の境界部２１とに熱応力が集中するのを抑制した。 - 特許庁

Further, in the boundary 24 between the thermal stress relaxing layer 22 and the heat shielding layer 23 and in the vicinity thereof, the concentration of zirconium oxide forming the layer 22 is continuously reduced from the layer 22 toward the layer 23, and at the same time, the concentration of hafnium oxide forming the layer 23 is continuously increased.例文帳に追加

また、熱応力緩和層２２と遮熱層２３との境界部２４とその近傍において、熱応力緩和層２２から遮熱層２３に向かって、熱応力緩和層２２を形成する酸化ジルコニウムの濃度が連続的に減少するとともに、遮熱層２３を形成する酸化ハフニウムの濃度が連続的に増加する。 - 特許庁

Further, in the boundary 24 between the thermal stress relaxing layer 22 and the heat shielding layer 23 and the vicinity thereof, from the thermal stress relaxing layer 22 toward the heat shielding layer 23, the concentration of zirconium oxide forming the thermal stress relaxing layer 22 is continuously reduced, and further, the concentration of hafnium oxide forming the heat shielding layer 23 is continuously increased.例文帳に追加

また、熱応力緩和層２２と遮熱層２３との境界部２４とその近傍において、熱応力緩和層２２から遮熱層２３に向かって、熱応力緩和層２２を形成する酸化ジルコニウムの濃度が連続的に減少するとともに、遮熱層２３を形成する酸化ハフニウムの濃度が連続的に増加する。 - 特許庁

In this manner, by utilizing the boundary of the gate trench 104, the source/drain regions at the side of a bit line composed of the high-concentration p-type diffusion layer 108 and the high-concentration n-type diffusion layer 109 are formed in a self-alignment manner.例文帳に追加

このように、ゲートトレンチ１０４の境界を利用して、高濃度Ｐ型拡散層１０８及び高濃度Ｎ型拡散層１０９で構成されたビット線側のソース／ドレイン領域をセルフアラインにより形成する。 - 特許庁

A barrier region 13 is disposed in an area below the gate region 17 in a boundary region of the channel layer 12 and the buffer layer 11, and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 - 特許庁