concentration capとは 意味・読み方・使い方

In particular, the hydrogen concentration of the cap film provided for the semiconductor substrate is set greater than or equal to the irradiation amount of the hydrogen ions.例文帳に追加

特に、半導体基板に形成するキャップ膜の水素濃度は水素イオンの照射量以上とすればよい。 - 特許庁

The emitter base lamination part 20 has an SiGeC spacer layer 21, an SiGeC intrinsic base layer 22 comprising high concentration boron, an SiGe cap layer 23, an Si cap layer 24 and an emitter layer 25 formed by doping the Si cap layer 24 and the SiGe cap layer 23 with phosphorous.例文帳に追加

エミッタ・ベース積層部２０は、ＳｉＧｅＣスペーサ層２１と、高濃度のボロンを含むＳｉＧｅＣ真性ベース層２２と、ＳｉＧｅキャップ層２３と、Ｓｉキャップ層２４と、Ｓｉキャップ層２４及びＳｉＧｅキャップ層２３内にリンをドープしてなるエミッタ層２５とを有している。 - 特許庁

The difference between the concentration of the second conductivity impurities within the cap layer 4 and the concentration of the first conductivity impurities is higher than the concentration of the of the second conductivity impurities in one part at least on board 1 side within the light absorbing layer 3.例文帳に追加

キャップ層内の第２導電型不純物の濃度と第１導電型不純物の濃度との差が、光吸収層内の少なくとも基板側の一部分における第２導電型不純物の濃度よりも高い。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

To provide a concentration joint cap and a protective method of a concentration joint part, capable of flexibly wiring an electric wire, and capable of easily coping with an electric wire bundle of a different diameter.例文帳に追加

電線を柔軟に配索することが可能であるとともに、異なる径の電線束にも容易に対応できる集中ジョイントキャップ、及び集中ジョイント部の保護方法を提供する。 - 特許庁

It is possible to keep the width of the low concentration source region 7a wide also after thermal diffusion in order to secure the low concentration source region 7a before the thermal diffusion corresponding to the width of the side cap film 6.例文帳に追加

サイドキャップ膜６の幅の分、低濃度のソース領域７aを熱拡散前に確保するため、熱拡散後も低濃度のソース領域７ａの幅を広く維持することができる。 - 特許庁

A concentration joint cap 10 is arranged to protect a concentration joint portion 56 in which coatings 54 of ends of plural bound electric wires 53 are removed and conductors 55 are mutually jointed.例文帳に追加

集中ジョイントキャップ１０は、束ねられた複数の電線５３の端部の被覆５４を除去して導体５５を相互に接合した集中ジョイント部５６を保護するように構成されている。 - 特許庁

The layer structure LS1 includes an n-type high concentration carrier layer 3, an n-type light absorbing layer 5, and an n-type cap layer 7.例文帳に追加

層構造体ＬＳ１は、ｎ型の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５、及びｎ型のキャップ層７を含んでいる。 - 特許庁