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dinitrogen oxideとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 一酸化二窒素
「dinitrogen oxide」の部分一致の例文検索結果
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一酸化二窒素 - 日本法令外国語訳データベースシステム
PRODUCTION OF DINITROGEN OXIDE例文帳に追加
酸化二窒素の製法 - 特許庁
This method for purifying gaseous nitrogen trifluoride comprises removing dinitrogen oxide by bringing gaseous nitrogen trifluoride including dinitrogen oxide into contact with an aqueous sulfuric acid solution.例文帳に追加
三弗化窒素ガスの精製方法において、酸化二窒素を含有する三弗化窒素ガスと硫酸水溶液とを接触させることにより酸化二窒素を除去することを特徴とする三弗化窒素ガスの精製方法。 - 特許庁
The manufacturing method of a semiconductor device is to etch a polysilicon or silicon using either one out of nitrosyl chloride, nitrile chloride or nitrosyl bromide or using chlorine or bromic base etching gas additionally containing either one out of nitrogen oxide, dinitrogen oxide, nitrogen dioxide, nitrogen trioxide, dinitrogen trioxide, dinitrogen tetroxide, dinitrogen pentoxide.例文帳に追加
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、塩化ニトロシル、塩化ニトロイルまたは臭化ニトロシルのいずれかをエッチングガスとして用いたうえで、あるいはまた、一酸化窒素、一酸化二窒素、二酸化窒素、三酸化窒素、三酸化二窒素、四酸化二窒素、五酸化二窒素またはフッ化ニトロシルのいずれかを添加含有させてなる塩素系または臭素系のエッチングガスを用いたうえでポリシリコンまたはシリコンをエッチングすることを特徴としている。 - 特許庁
First, a silicon oxide film 101 is formed with the plasma CVD method by supplying both monosilane gas and dinitrogen monoxide gas on the silicon base layer 100 of a wafer W.例文帳に追加
まず、ウェハWのシリコン基層100上にモノシランガスと一酸化二窒素ガスを供給してプラズマCVD法によりシリコン酸化膜101を形成する。 - 特許庁
The gate insulation film GI is formed by oxidizing the principal plane of the silicon substrate 1 and thereafter heat-treating it in an atmosphere of a dinitrogen oxide in a furnace.例文帳に追加
ゲート絶縁膜GIは、シリコン基板1の主面を酸化した後、炉体内において一酸化二窒素雰囲気中で熱処理を施すようにして形成する。 - 特許庁
At the formation of the oxide film on a substrate by a vacuum ultraviolet light CVD process, an organic material gas and an additive gas of dinitrogen monoxide and/or oxygen gas (gases) are present together therewith.例文帳に追加
真空紫外光CVDにより、基板上に酸化膜を形成するに際し、有機系材料ガスと一酸化二窒素及び/または酸素ガスからなる添加ガスを共存させる。 - 特許庁
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「dinitrogen oxide」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
The forming device of a silicon oxide film is constituted in a structure that a first gas introducing tube 13 for feeding dichlorosilane and a second gas introducing tube 14 for feeding dinitrogen monoxide are provided under the lower part of a reaction tube 2 of a heat-treating unit 1.例文帳に追加
熱処理装置1の反応管2の下部には、ジクロロシランを供給する第1ガス導入管13と、一酸化二窒素を供給する第2ガス導入管14とが配設されている。 - 特許庁
At the time of processing a semiconductor substrate 1 in an atmosphere containing dinitrogen oxide 3 while irradiating it with UV-rays 6 and 7, the intensity and irradiation time of the UV-ray 7 having a wavelength range principally generating oxidation seed radicals and the UV-ray 6 having a wavelength range generating oxidation seed radicals and nitriding seed radicals simultaneously are controlled arbitrarily to form an insulation film 2 having a desired nitrogen concentration profile.例文帳に追加
半導体基板1を紫外光6,7を照射しながら一酸化二窒素3を含む雰囲気で処理する際に、主として酸化種ラジカルが発生する波長範囲の紫外光7と、酸化種ラジカルと窒化種ラジカルが同時に発生する波長範囲の紫外光6の強度と照射時間を、それぞれ任意に制御することによって所望の窒素濃度プロファイルを有する絶縁膜2を形成する。 - 特許庁
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