diffusion potentialsとは 意味・読み方・使い方

A control voltage VT whose potential is higher than the potentials of the p^+ diffusion regions 2 and 3 is applied to the n well 1.例文帳に追加

ｎウェル１に，ｐ^+ 拡散領域２，３の電位より高電位な制御電圧ＶＴが印加されるようにする。 - 特許庁

To provide a device which conveniently enables the crystallization with a vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加

蒸気拡散法により簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁

To provide a device which conveniently enables the crystallization by using a well plate used in the conventional vapor diffusion method and utilizes the difference of surface potentials of solid.例文帳に追加

従来の蒸気拡散法に使用されるウェルプレートを使用して簡便に結晶化を行うことができる、固体の表面電位の違いを利用した装置を提供する。 - 特許庁

By controlling potentials of the p-type diffusion layer 31 and the n-type diffusion layer 32 via wirings 33 and 34, a decline of the amount of saturated electric charge in the photoelectric conversion region 1 can be suppressed and electric charges generated excessively can be discharged.例文帳に追加

配線３３及び３４を介してｐ型拡散層３１及びｎ型拡散層３２の電位を制御することによって、光電変換領域１の飽和電荷量の低下を抑制したり、過剰に発生した電荷を排出したりすることが可能となる。 - 特許庁

The generating means 31 generates a first programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the first hard macro transistor and/or unnecessary contacts and a second programmable transistor by eliminating an unnecessary diffusion area in the second hard macro transistor and/or unnecessary contacts when the potentials of the diffusion areas of the first and second hard macro transistors arranged adjacently based on circuit connection information are the same.例文帳に追加

生成手段３１は、回路接続情報に基づいて互いに隣接するように配置された第１及び第２のハードマクロ・トランジスタの拡散領域の電位が等しい場合には、第１のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第１のプログラマブル・トランジスタを生成するとともに、第２のハードマクロ・トランジスタにおける不要な拡散領域及び／又は不要なコンタクトを削除した第２のプログラマブル・トランジスタを生成する。 - 特許庁