diffusion profileとは 意味・読み方・使い方

To provide an impurity diffusion method in which an impurity peak concentration is high or a control of a diffusion profile is easy, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

不純物ピーク濃度が高くまたは拡散プロファイルの制御が容易な不純物拡散方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an anisotropic diffusion medium for obtaining a special optical profile in a monolayer, which cannot be conventionally obtained.例文帳に追加

これまで得ることが出来なかった特殊な光学プロファイルが単層で得られる異方性拡散媒体の提供。 - 特許庁

Back diffusion of the preamble within each packet is carried out, a standard multi-path profile is updated, and a present multi-path profile of packet received at the present is obtained.例文帳に追加

各パケット内のプリアンブルが逆拡散されて、基準マルチパスプロファイルが更新されるとともに、現時点で受信されているパケットの現在のマルチパスプロファイルが得られる。 - 特許庁

A delay profile generation means 103 inversely diffuses the base band diffusion signal for synchronism and generates and outputs delay profile generation result information 121 from the correlation value.例文帳に追加

遅延プロファイル作成手段１０３は、ベースバンド拡散信号を同期用に逆拡散し、その相関値から遅延プロファイル作成結果情報１２１を作成し出力する。 - 特許庁

A JD operation part 107 performs a JD operation by the delay profile to be inputted from the delay profile creation part 104 and the back diffusion/lake synthesizing part 106.例文帳に追加

ＪＤ演算部１０７は、遅延プロファイル作成部１０４から入力する遅延プロファイル及び逆拡散・レイク合成部１０６より、ＪＤ演算を行う。 - 特許庁

The element isolation region is a deep trench 15, consisting of a forward taper profile 13 and a bowing profile connecting to a lower part, and a boundary surface between the forward taper profile 13, and the bowing profile is arranged in the high concentration impurity diffusion semiconductor layer 1.例文帳に追加

素子分離領域は、順テーパ形状部１３及び下部に繋がるボーイング形状部からなるディープトレンチ１５であり、前記順テーパ形状部と前記ボーイング形状部との境界面は高濃度不純物拡散半導体層１内に配置されている。 - 特許庁

Since the diffusion factor of arsenic (As) is small when compared with that of phosphorus (P), impurity diffusion (profile diffusion) by heat treatment in the manufacturing process is suppressed significantly when compared with a phosphorus-doped substrate by prior art.例文帳に追加

これによって、砒素（Ａｓ）の拡散係数がリン（Ｐ）に比べて小さいことから、従来手法によるリンドープ基板に比べて製造工程における熱処理による不純物拡散（プロファイル拡散）を大幅に抑制する。 - 特許庁

In the back gate region, a concentration profile is formed gently in a region for forming an N type diffusion region 25.例文帳に追加

そして、バックゲート領域では、Ｎ型の拡散層２５が形成される領域の濃度プロファイルを緩やかに形成する。 - 特許庁