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diffusion regionとは 意味・読み方・使い方
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「diffusion region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1718件
A p diffusion region 3 is formed with an interval to the p^- diffusion region 5.例文帳に追加
ｐ^-拡散領域５と間隔をあけてｐ拡散領域３が形成される。 - 特許庁
The floating diffusion layer 1 includes a diffusion region 11 and a diffusion region 12 having a higher impurity concentration than that of the diffusion region 11.例文帳に追加
浮遊拡散層１は、拡散領域１１と、拡散領域１１より高い不純物濃度を有する拡散領域１２とを含んでいる。 - 特許庁
The EEPROM is equipped with a common source region, a floating diffusion region, and a bit line diffusion region, and the common source region is composed of only a high-concentration impurity region which is shallow in the diffusion depth and is shallower than the diffusion depth of the floating diffusion region and the bit line diffusion region.例文帳に追加
半導体基板内に共通ソース領域、フローティング接合領域およびビットライン接合領域を具備し、前記共通ソース領域は接合深さが浅い高濃度不純物領域だけで構成され、フローティング接合領域およびビットライン接合領域の接合深さより浅い。 - 特許庁
A first conductivity-type second diffusion region c is formed in the first diffusion region tub, a second conductivity type third diffusion region b is formed in the second diffusion region c, and a first conductivity-type fourth diffusion region e is formed in the third diffusion region b.例文帳に追加
第１拡散領域内には、第１導電型の第２拡散領域ｃが形成され、第２拡散領域内に第２導電型の第３拡散領域ｂが形成され、第３拡散領域内に第１導電型の第４拡散領域ｅが形成される。 - 特許庁
At that time, the source diffusion region 3 is not formed at the corners of the body diffusion region 2.例文帳に追加
その際、ボディー拡散領域２の角部にはソース拡散領域３を形成しない。 - 特許庁
An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加
ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁
The high-concentration anode diffusion region 20a is covered with the intermediate-concentration anode diffusion region 20b and the low-concentration anode diffusion region 20c.例文帳に追加
高濃度アノード拡散領域２０ａは、中濃度アノード拡散領域２０ｂと低濃度アノード拡散領域２０ｃで覆われている。 - 特許庁
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「diffusion region」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 1718件
DIFFUSION REGION FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加
半導体素子の拡散領域形成方法 - 特許庁
The drain diffusion region 7 includes a deep diffusion part occupying a position deeper than the source diffusion region at a concentration of 1/1,000 or above of the peak concentration of the source diffusion region 6.例文帳に追加
ドレイン拡散領域７は、ソース拡散領域６のピーク濃度の１／１０００以上の濃度でソース拡散領域よりも深い位置を占める深拡散部分を含む。 - 特許庁
An n^+ diffusion region 61 becoming a p^- base region 62 and a source region is formed on the bottom of the trench 51 and an n^+ diffusion region 58 becoming a drain region is formed in the n^- diffusion region 60.例文帳に追加
トレンチ５１の底部にｐ^-ベース領域６２とソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成し、ｎ^-拡散領域６０にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。 - 特許庁
A p diffusion region 6 is formed while ranging over one end of the p^- diffusion region 5.例文帳に追加
このｐ^-拡散領域５の一方の端部に連なるようにｐ拡散領域６が形成される。 - 特許庁
The first N^+ diffusion region and the second N^+ diffusion region are coupled to voltage sources each.例文帳に追加
第１Ｎ＋拡散領域及び第２Ｎ＋拡散領域は、それぞれ電圧源に結合している。 - 特許庁
The second standard cell SC2 includes a diffusion region An21 continued to the diffusion region An11, a function element region FE2 facing the diffusion region An21, and a diffusion region CR21 formed between the diffusion region An21 and the function element region FE2.例文帳に追加
第２スタンダードセルＳＣ２は、拡散領域Ａｎ１１に連続する拡散領域Ａｎ２１、拡散領域Ａｎ２１に対向する機能素子領域ＦＥ２、ならびに拡散領域Ａｎ２１および機能素子領域ＦＥ２の間に形成された拡散領域ＣＲ２１を有する。 - 特許庁
A voltage holding region 60 of an IGBT 10 includes an n-type reverse portion diffusion region 62, an n-type intermediate portion diffusion region 64, a p-type intermediate portion diffusion region 66, and a top portion diffusion region 68.例文帳に追加
ＩＧＢＴ１０の電圧保持領域６０は、ｎ型の裏面部拡散領域６２とｎ型中間部拡散領域６４とｐ型中間部拡散領域６６と表面部拡散領域６８を有している。 - 特許庁
The metal layer MT11 and the function element region FE2 are electrically connected through the diffusion region An11, the diffusion region An21, and the diffusion region CR21.例文帳に追加
金属層ＭＴ１１および機能素子領域ＦＥ２は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ２１、および拡散領域ＣＲ２１通して電気的に接続される。 - 特許庁
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