「diffusion region」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

An n-diffusion region 5 to be a drain region is formed in an n-type semiconductor region 3, and a p diffusion region 7 and an n+diffusion region 8 to be a source region are formed on one side of the n-diffusion region 5.例文帳に追加

ｎ-型半導体領域３には、ドレイン領域となるｎ-拡散領域５が形成され、そのｎ-拡散領域５の一方の側には、ｐ拡散領域７と、ソース領域となるｎ+拡散領域８が形成されている。 - 特許庁

The high-concentration anode diffusion region 20a is covered with the intermediate-concentration anode diffusion region 20b and the low-concentration anode diffusion region 20c.例文帳に追加

高濃度アノード拡散領域２０ａは、中濃度アノード拡散領域２０ｂと低濃度アノード拡散領域２０ｃで覆われている。 - 特許庁

DIFFUSION REGION FORMING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

半導体素子の拡散領域形成方法 - 特許庁

The drain diffusion region 7 includes a deep diffusion part occupying a position deeper than the source diffusion region at a concentration of 1/1,000 or above of the peak concentration of the source diffusion region 6.例文帳に追加

ドレイン拡散領域７は、ソース拡散領域６のピーク濃度の１／１０００以上の濃度でソース拡散領域よりも深い位置を占める深拡散部分を含む。 - 特許庁

An n^+ diffusion region 61 becoming a p^- base region 62 and a source region is formed on the bottom of the trench 51 and an n^+ diffusion region 58 becoming a drain region is formed in the n^- diffusion region 60.例文帳に追加

トレンチ５１の底部にｐ^-ベース領域６２とソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成し、ｎ^-拡散領域６０にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。 - 特許庁

A p diffusion region 6 is formed while ranging over one end of the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

このｐ^-拡散領域５の一方の端部に連なるようにｐ拡散領域６が形成される。 - 特許庁

The first N^+ diffusion region and the second N^+ diffusion region are coupled to voltage sources each.例文帳に追加

第１Ｎ＋拡散領域及び第２Ｎ＋拡散領域は、それぞれ電圧源に結合している。 - 特許庁

The second standard cell SC2 includes a diffusion region An21 continued to the diffusion region An11, a function element region FE2 facing the diffusion region An21, and a diffusion region CR21 formed between the diffusion region An21 and the function element region FE2.例文帳に追加

第２スタンダードセルＳＣ２は、拡散領域Ａｎ１１に連続する拡散領域Ａｎ２１、拡散領域Ａｎ２１に対向する機能素子領域ＦＥ２、ならびに拡散領域Ａｎ２１および機能素子領域ＦＥ２の間に形成された拡散領域ＣＲ２１を有する。 - 特許庁

A voltage holding region 60 of an IGBT 10 includes an n-type reverse portion diffusion region 62, an n-type intermediate portion diffusion region 64, a p-type intermediate portion diffusion region 66, and a top portion diffusion region 68.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１０の電圧保持領域６０は、ｎ型の裏面部拡散領域６２とｎ型中間部拡散領域６４とｐ型中間部拡散領域６６と表面部拡散領域６８を有している。 - 特許庁

The metal layer MT11 and the function element region FE2 are electrically connected through the diffusion region An11, the diffusion region An21, and the diffusion region CR21.例文帳に追加

金属層ＭＴ１１および機能素子領域ＦＥ２は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ２１、および拡散領域ＣＲ２１通して電気的に接続される。 - 特許庁

An anode region 20 of a diode 1 includes a high-concentration anode diffusion region 20a, an intermediate-concentration anode diffusion region 20b and a low-concentration anode diffusion region 20c.例文帳に追加

ダイオード１のアノード領域２０は、高濃度アノード拡散領域２０ａと中濃度アノード拡散領域２０ｂと低濃度アノード拡散領域２０ｃを有している。 - 特許庁

Additionally, an n diffusion region 4 is formed adjacent to the p diffusion region 3, and a source electrode 11 is formed in contact with both the surfaces of the n diffusion region 4 and the p diffusion region 3.例文帳に追加

また、ｐ拡散領域３と隣接してｎ拡散領域４が形成され、このｎ拡散領域４とｐ拡散領域３との双方の表面に接触してソース電極１１が形成される。 - 特許庁

Between the n-type diffusion region 2 and the p well 10, an n^--type diffusion region 11 is formed having a lower dopant concentration than that of the n-type diffusion region 2.例文帳に追加

Ｎ型拡散領域２とＰウェル１０との間に、Ｎ型拡散領域２よりも不純物濃度の低いＮ^−型拡散領域１１を設ける。 - 特許庁

A semiconductor device has a P-type second low-concentration diffusion region 9 between a P-type low-concentration diffusion region 7 and an N-type low-concentration diffusion region 11.例文帳に追加

Ｐ型低濃度拡散領域７とＮ型低濃度拡散領域１１の間にＰ型第２低濃度拡散領域９を備えている。 - 特許庁

Thereafter, a floating diffusion region 8 is formed.例文帳に追加

その後フローティングディフュージョン領域８を形成する。 - 特許庁

The P^-- diffusion region 52 is depleted before the P diffusion region 51 upon OFF of the gate voltage.例文帳に追加

Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオフ時に，Ｐ拡散領域５１よりも先に空乏化される。 - 特許庁

One end of a first resistive element Rt is connected to the first diffusion region, and the other end is connected to the second diffusion region.例文帳に追加

第１抵抗素子Ｒｔは、一端、他端が、第１、第２拡散領域とそれぞれ接続される。 - 特許庁

A semiconductor device, comprising a P^+ diffusion region and N^+ diffusion region, is formed on the bulk semiconductor substrate.例文帳に追加

Ｐ^+ 拡散領域とＮ^+ 拡散領域を備えた半導体装置をバルク半導体基板に形成する。 - 特許庁

Under a diffusion layer 20 and a source region 16, a diffusion layer having a higher impurity concentration than the diffusion layer 20 is formed, in contact with the diffusion layer 20.例文帳に追加

ドレイン領域１５にサージ電圧が印加された場合、拡散層３１と３２の相互間でブレークダウンが発生する。 - 特許庁

Then, an impurity diffusion region 109 integrated together by thermal diffusion is formed.例文帳に追加

熱拡散処理で一体化した不純物拡散領域１０９を形成する。 - 特許庁

An isolated region 2 is disposed between the first impurity diffusion region 13 and the second impurity diffusion region 5.例文帳に追加

第１の不純物拡散領域１３と第２の不純物拡散領域５との間に分離領域２が配置されている。 - 特許庁

Upon storing operation, a higher voltage is applied to the diffusion region A than to the diffusion region B, and upon readout operation, a higher voltage is applied to the diffusion region B than to the diffusion region A.例文帳に追加

記憶動作時には一方の拡散領域Ａへ他方の拡散領域Ｂよりも高い電圧を印加し、読出し時には他方の拡散領域Ｂへ一方の拡散領域Ａよりも高い電圧を印加する。 - 特許庁

The hollow part of the gate electrode 3 is formed as the formation scheduled region of a source diffusion region 3 and a diffusion area 9 for a body contact, and the source diffusion region 3 is selectively formed in the body diffusion region 2.例文帳に追加

そのゲート電極３の中抜き部分をソース拡散領域３及びボディーコンタクト用拡散領域９の形成予定領域とし、ボディー拡散領域２内にソース拡散領域３を選択的に形成する。 - 特許庁

The periphery of the diffusion preventive region suppresses lateral diffusion of a deep body diffusion portion, without suppressing a diffusion depth remarkably.例文帳に追加

拡散防止領域の周囲は、拡散深さを著しく抑制することなく、深いボディ拡散部の横方向拡散を抑制する。 - 特許庁

On a GaAs substrate 3, an n+ type diffusion region 4 and a p+ type diffusion region 5 joined inside the n+ type diffusion region 4 are formed.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板３上には、ｎ＋型拡散領域４と、該ｎ＋型拡散領域４内に接合するようにｐ＋型拡散領域５とが形成されている。 - 特許庁

Further, the P^-- diffusion region 52 becomes a hole supplying path to the P diffusion region 51 upon turning-on of the gate voltage.例文帳に追加

また，Ｐ^--拡散領域５２は，ゲート電圧のオン時にはＰ拡散領域５１に対するホール供給路となる。 - 特許庁

A diffusion depth of the first pocket region 9A is shallower in comparison with a diffusion depth of the second pocket region 9B.例文帳に追加

第１のポケット領域９Ａの拡散深さは、第２のポケット領域９Ｂの拡散深さに比べて浅い。 - 特許庁

In order to form a high concentration n-diffusion region, a low concentration n-diffusion region and a p-diffusion region on a substrate 600, the substrate 600 is irradiated with a laser beam corresponding to respective diffusion regions.例文帳に追加

基板６００に、高濃度ｎ拡散領域と低濃度ｎ拡散領域とｐ拡散領域とを形成するために、それぞれの拡散領域に応じたレーザビームを基板６００に照射する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a P-type semiconductor substrate; an N-type well, a first P^+ diffusion region, a second P^+ diffusion region, a Schottky diode, a first N^+ diffusion region, a second N^+ diffusion region, a third P^+ diffusion region, a fourth P^+ diffusion region, a first insulating layer, a second insulating layer, a first parasitic bipolar transistor, and a second parasitic bipolar transistor.例文帳に追加

本発明の半導体デバイスは：Ｐ型半導体基板、Ｎ型ウェル、第１Ｐ＋拡散領域、第２Ｐ＋拡散領域、ショットキー・ダイオード、第１Ｎ＋拡散領域、第２Ｎ＋拡散領域、第３Ｐ＋拡散領域、第４Ｐ＋拡散領域、第１絶縁層、第２絶縁層、第１寄生バイポーラトランジスタ、及び第２寄生バイポーラトランジスタ、を含む。 - 特許庁

To form an offset region (a low concentration diffusion region) with the few number of steps.例文帳に追加

少ない工程数でオフセット領域（低濃度拡散領域）を形成する。 - 特許庁

The first gas diffusion layer has an upper region and a primary flow lower region.例文帳に追加

第１のガス拡散層は、上部領域と、一次流下部領域とを有する。 - 特許庁

One impurity diffusion region of the first transistor constitutes a common diffusion region continuously up to one impurity diffusion region of the second transistor through the impurity diffusion region arranged to the surface layer section of a substrate.例文帳に追加

第１のトランジスタの一方の不純物拡散領域が、基板の表層部に配置された不純物拡散領域を介して第２のトランジスタの一方の不純物拡散領域まで連続して共通拡散領域を構成している。 - 特許庁

The drain region 3 is constituted of a deep low concentration diffusion region 3B, and a shallow high concentration diffusion domain 3A which is the same conductivity type as that of the low concentration diffusion region 3B and arranged in the low concentration diffusion region 3B.例文帳に追加

ドレイン領域３が、深さの深い低濃度拡散領域３Ｂと、低濃度拡散領域３Ｂと同じ導電型であって低濃度拡散領域３Ｂに設けられた浅い高濃度拡散領域３Ａとから構成される。 - 特許庁

The quaternary information is read by both reading with the diffusion region N21 as a source while the diffusion region N12 as a drain and reading with the diffusion region N21 as a drain while the diffusion region N12 as a source.例文帳に追加

したがって、拡散領域Ｎ_21をソースとし且つ拡散領域Ｎ_12をドレインとした読み出しと、拡散領域Ｎ_21をドレインとし且つ拡散領域Ｎ_12をソースとした読み出しとを行うことにより、４値化情報が読み出される。 - 特許庁

The p-type back gate region 1 comprises a p-type diffusion region 1a which is relatively shallow and a p-type diffusion region 1b which is relatively deep.例文帳に追加

ｐ型バックゲート領域１は、比較的浅いｐ型拡散領域１ａと比較的深いｐ型拡散領域１ｂとを有している。 - 特許庁

Within the p^- diffusion region 5, a plurality of p diffusion regions 20 containing p-type impurities are formed, which have high concentration as compared with the p^- diffusion region 5.例文帳に追加

ｐ^-拡散領域５内には、このｐ^-拡散領域５よりも高濃度のｐ型の不純物を含むｐ拡散領域２０が複数個形成される。 - 特許庁

The second diffusion region 6 of a higher impurity concentration is formed shallowly from the surface of a P type diffusion region 4.例文帳に追加

そして、不純物濃度の高い第２の拡散領域６は、Ｐ型の拡散領域４表面から浅く形成する。 - 特許庁

In the P-diffusion layer 7, an N--diffusion layer 8b and an N+-diffusion layer 9b which serve as an emitter region are formed.例文帳に追加

そのｐ拡散層７にエミッタ領域としてのｎ^-拡散層８ｂおよびｎ^+拡散層９ｂが形成されている。 - 特許庁

An n^+ diffusion region 11 is formed selectively in an SOI layer 3, and a perfect isolation region 4 is formed to cover the entire peripheral region of the n^+ diffusion region 11.例文帳に追加

ＳＯＩ層３内にＮ^+拡散領域１１が選択的に形成され、Ｎ^+拡散領域１１の全周辺領域を覆って完全分離領域４が形成される。 - 特許庁

An n^- impurity diffusion region 4 is formed to cover a source region 3.例文帳に追加

ｎ^-不純物拡散領域４がソース領域３を覆うように形成されている。 - 特許庁

In diffusion layers respectively constituting a collector region 4, an emitter region 4, and a base region 5, two or more rows of high- concentration diffusion layers (9, 10, and 11) are formed in the transversal directions of the diffusion layers.例文帳に追加

コレクタ領域３、エミッタ領域４、ベース領域５を構成する拡散層には、拡散層の短手方向に２列以上の高濃度の拡散層９、１０、１１が形成されている。 - 特許庁

A second impurity diffusion region 11b is formed on the surface of the semiconductor substrate, one end of the second impurity diffusion region is contacted with the first side wall, and has the same conduction type as the first impurity diffusion region.例文帳に追加

第２不純物拡散領域１１ｂは、半導体基板の表面に形成され、一端が第１側壁に接し、第１不純物拡散領域と同じ導電型を有する。 - 特許庁

A base region 62 and an n^+ diffusion region 61, which is to be a source region, are formed in the surface region of the substrate 50, while an n^+ diffusion region 58 serving as the drain region is formed at the bottom of the trench 51.例文帳に追加

基板５０の表面領域にベース領域６２およびソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成すると共にトレンチ５１の底部にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。 - 特許庁

On the surface region of the substrate 50, an n^+ diffusion region 61 which becomes a base region 62 and a source region is formed and an n^+ diffusion region 58 which becomes drain region is formed on the bottom of the trench 51.例文帳に追加

基板５０の表面領域にベース領域６２およびソース領域となるｎ^+拡散領域６１を形成すると共にトレンチ５１の底部にドレイン領域となるｎ^+拡散領域５８を形成する。 - 特許庁

Further a second impurity diffusion region 22 (22A and 22B) of the conductive type reverse to the first impurity diffusion region 20 is made to adjoin the first impurity diffusion region 20, and further formed shallower than the first impurity diffusion region 20.例文帳に追加

さらに第１不純物拡散領域２０と逆の導電型である第２不純物拡散領域２２を、第１不純物拡散領域２０と隣接させるとともに、これを第１不純物拡散領域２０より浅く形成する。 - 特許庁