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diffusion double layerとは 意味・読み方・使い方
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意味・対訳 拡散二重層
「diffusion double layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
To easily and freely adjust dislocation density in a non-diffusion layer to a required level, in manufacturing of a diffusion wafer having a double structure of a heavily-doped impurity diffusion layer and the non-diffusion layer.例文帳に追加
高濃度不純物拡散層と非拡散層の２層構造の拡散ウェーハ製造において、非拡散層内の転位密度を所要レベルに簡便にしかも自在に調節する。 - 特許庁
The drain of the transistor 19 has a double diffusion construction which is composed of a first P-type drain diffusion layer 5d and a second P-type drain diffusion layer 11d.例文帳に追加
トランジスタ１９のドレインは第１Ｐ型ドレイン拡散層５ｄと第２Ｐ型ドレイン拡散層１１ｄからなる二重拡散構造を備えている。 - 特許庁
The wafer is bisected along a center line 21 of a nondiffusing layer 20, and a diffusion wafer 22a having a double-layer structure of the high concentration impurity diffusion layer 19 and the nondiffusing layer 20 is formed as two wafers.例文帳に追加
そして、非拡散層２０の中央線２１に沿って二分割し、高濃度不純物拡散層１９と非拡散層２０の２層構造の拡散ウェーハ２２ａを２枚に形成する。 - 特許庁
When forming the diffusion layer region 5 separated by an element isolation region, the diffusion layer region 5 is formed separately in two stages by using a double exposure technique.例文帳に追加
素子分離領域によって分離された拡散層領域５を形成する際に、２重露光技術を用いて拡散層領域５を２段階に分けて形成する。 - 特許庁
To provide a dopant diffusion barrier of a double layer, where a barrier layer to block internal diffusion is provided, diffusion of a dopant is blocked, even in the if there is absence of p-n junction formation, and thin-type does not prevent flow of current.例文帳に追加
内部拡散を阻止するバリヤ層を備え、ｐｎ接合の形成がなくてもドーパントの拡散を阻止でき、薄型であるために電流の流れを妨げることのない２重層のドーパント拡散バリアを提供する。 - 特許庁
To provide a joint structure of a fire-proof double-layer pipe which prevents diffusion of smoke generated at a fire site at the beginning of the fire through the fire-proof double-layer pipe.例文帳に追加
火災初期に火災現場で発生する煙が耐火二層管を介して他の区画へ放散することを防止することができる耐火二層管の接合部構造を提供する。 - 特許庁
In the transistor array, an epitaxial layer is formed on a semiconductor substrate, and n double diffusion DMOS transistors (Trs) are horizontally arranged on the epitaxial layer.例文帳に追加
このトランジスタアレイは、半導体基板上にエピタキシャル層が形成され、エピタキシャル層にｎ個の二重拡散トランジスタＤＭＯＳ Ｔｒ．が横に配列される。 - 特許庁
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「diffusion double layer」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 15件
In addition, source/drain of a MOS transistor in the memory cell part are made into double diffusion layer structure 5, 6, and source/drain of the MOS transistor in the peripheral circuit part are made into triple diffusion layer structure 5, 6, 7.例文帳に追加
また、メモリセル部におけるＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを二重拡散層構造５，６とし、周辺回路部におけるＭＯＳトランジスタのソース／ドレインを三重拡散層構造５，６，７にする。 - 特許庁
In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加
ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁
The semiconductor relay employing a vertical double diffusion MOSFET comprises a first epitaxial layer formed on a substrate, a second epitaxial layer formed on the first epitaxial layer with higher density than the first epitaxial layer, a vertical double diffusion MOSFET formed on the first and second epitaxial layers, and a floating field ring formed around the vertical double diffusion MOSFET at the boundary of the first and second epitaxial layers.例文帳に追加
縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴを用いた半導体リレーにおいて、基板上に形成された第１のエピタキシャル層と、この第１のエピタキシャル層上にさらに形成され第１のエピタキシャル層よりも濃度の高い第２のエピタキシャル層と、第１及び第２のエピタキシャル層上に形成された縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴと、縦型２重拡散ＭＯＳＦＥＴの周囲であって第１及び第２のエピタキシャル層の境界部分に形成されたフローティングフィールドリングとを設ける。 - 特許庁
To provide a method of increasing a capacitance of an electrode constituting an electric double layer capacitor in which a simple device can be used under atmospheric pressure, and ion diffusion resistance is not affected when the electrode constituting the electric double layer capacitor is assembled as a capacitor cell.例文帳に追加
電気二重層キャパシタを構成する電極の静電容量を増加する方法として、大気圧下で簡便な装置を用いて行うことができ、キャパシタセルとした時にイオンの拡散抵抗に影響を及ぼさない方法を提供する。 - 特許庁
The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.例文帳に追加
張出し部２１を包み込む形状は、張出し部２１が収められる開口部２７を設けたセパレータ側ガス拡散層２５をイオン交換膜側ガス拡散層２６に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部２１を収容する陥没部２８を形成することにより、ガス拡散層１４，１５に付与される。 - 特許庁
A lower layer 31 inserted between the upper layer 32 and a multilayered film 20 has a double structure comprising two or more diffusion prevention layers, and prevents a component metal constituting the upper layer 32 from diffusing to the multilayered film 20 side.例文帳に追加
上部層３２と多層膜２０との間に挿入された下部層３１は、２層以上の拡散防止膜からなる２重構造を有しており、上部層３２を構成する成分金属が多層膜２０側に拡散することを防止している。 - 特許庁
A DMOS (double diffused metal oxide semiconductor) transistor 23 and the pn junction diode 22a are formed on one SOI layer 13b surrounded by trench separation 15 in a shape that they are insulated electrically by a p-type diffusion layer 20 formed in a state of being levitated electrically on the SOI layer 13b surrounded by the trench separation 15.例文帳に追加
トレンチ分離１５で囲まれた１つのＳＯＩ層１３ｂには、ＤＭＯＳトランジスタ２３と温度検出用ＰＮ接合ダイオード２２ａとが、電気的に浮いた状態で形成されるＰ型拡散層２０によって電気的に絶縁される形で形成されている。 - 特許庁
To provide the manufacturing method of an electric double layer capacitor electrode capable of reinforcing the molding of an electrode, preventing the generation of cracks, lowering the diffusion resistance of ions, increasing capacitance at a high current density, and manufacturing a large-sized electrode.例文帳に追加
電極の成形体を補強しクラック、われの発生を防止し、イオンの拡散披抗を下げ、高電流密度における静電容量を増加させ、大型の電極の作製が可能となる電気二重層コンデンサ電極の製造方法を提供する。 - 特許庁
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