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diffusion distanceとは 意味・読み方・使い方
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「diffusion distance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 147件
The sum of the shortest distance from the third diffusion layer to the fifth diffusion layer and the shorter one of the shortest distance from the fifth diffusion layer to the fourth diffusion layer and that from the lower end part of the first diffusion layer to the fourth diffusion layer, is shorter than the shortest distance from the third diffusion layer to the fourth diffusion layer.例文帳に追加
第３拡散層から第５拡散層までの最短距離と、第５拡散層から第４拡散層までの最短距離及び第１拡散層の下端部から第４拡散層までの最短距離のいずれか短い方の距離との和は、第３拡散層から第４拡散層までの最短距離よりも小さい。 - 特許庁
When diffusion is formed from the rectangular region, a diffusion distance d1 in the direction of the long side of the rectangle is smaller than a diffusion distance d2 of a short side and an insulation wall is closed within limited diffusion time.例文帳に追加
くぼみはほぼ長方形の断面を有し、その大きい方の寸法はくぼみの配列線に垂直で、くぼみの深さは基板の半分の厚さより小さいあるいは等しい。 - 特許庁
In the protection element 1, an interval distance W1 between an N-type diffusion layer 10a and a P-type diffusion layer 6 is smaller than an interval distance W2 between an N-type diffusion layer 9 and the P-type diffusion layer 6.例文帳に追加
そして、保護素子１では、Ｎ型の拡散層１０とＰ型の拡散層６との離間距離Ｗ１が、Ｎ型の拡散層９とＰ型の拡散層６との離間距離Ｗ２よりも短くなる。 - 特許庁
The diffuser panel has a diffusion angle according to the distance from the microlens array.例文帳に追加
拡散板は、マイクロレンズアレイとの距離に応じた拡散角を有する。 - 特許庁
Clearance (first distance 11) between a P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 10 is set shorter than the clearance (second distance 12) between the P type isolation diffusion layer 30 and the heavily doped N type diffusion layer 9.例文帳に追加
さらに、Ｐ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層１０との離間距離（第１の距離１１）をＰ型分離拡散層３０と高濃度Ｎ型拡散層９との離間距離（第２の距離１２）に比べて短くする。 - 特許庁
The disk 1 is provided with a first diffusion part 10 with the long distance between its peripheral edge and the shaft 2 and a second diffusion part 11 with the short distance between them.例文帳に追加
そして、拡散盤１は、その外周縁と前記回転軸２との間の距離が長い、第一の拡散部１０と、その距離が短い、第二の拡散部１１とを備える。 - 特許庁
A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.例文帳に追加
第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁
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「diffusion distance」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 147件
To provide a lithium ion secondary battery using an electrode having a short ion diffusion distance.例文帳に追加
イオン拡散距離が短い電極を用いてなるリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁
Further, the distance L1 between the floating diffusion region 8 and the output gate electrode 6 is set larger than the distance L2 between the floating diffusion region 8 and the reset gate electrode 11.例文帳に追加
また、フローティングディフュージョン領域８と出力ゲート電極６との間の距離Ｌ１は、フローティングディフュージョン領域８とリセットゲート電極１１との間の距離Ｌ２よりも大きい。 - 特許庁
The second LDD diffusion region 319 is located under a second spacer and extends over the first distance to the second diffusion region.例文帳に追加
第２のＬＤＤ拡散領域３１９は、第２のスペーサの下にあり且つ第２の拡散領域まで第１の距離にわたって延在する。 - 特許庁
To accurately measure the film thickness of a light diffusion transmission film even if distance from the light diffusion transmission film to a light reception section changes.例文帳に追加
光拡散透過膜から受光部までの距離が変化する場合でも、該光拡散透過膜の膜厚を高精度で測定できるようにする。 - 特許庁
When a gate width direction is set as a vertical direction, the middle point is set as an origin and a distance between a MOS transistor and a diffusion layer adjacent to the MOS transistor is set as a vertical direction adjacent diffusion layer distance, the vertical direction adjacent diffusion layer distance is specified as a function of a vertical direction distance to be changed according to a position X in the longitudinal direction of the channel.例文帳に追加
そして、ゲート幅方向を縦方向とし、その中点を原点としてそのＭＯＳトランジスタとそのＭＯＳトランジスタの隣の拡散層との距離を縦方向隣接拡散層距離とするとき、その縦方向隣接拡散層距離を、そのチャネル長方向の位置Ｘに応じて変化する縦方向の距離の関数として特定する。 - 特許庁
The well contact 2 has a short distance tS to the diffusion layer 4 of the cathode at its long side and a long distance tL to the diffusion layers 4, 5 of the anode and cathode in its short side (tL>tS).例文帳に追加
このウエルコンタクト２は、その長辺ではカソードの拡散層４までの距離ｔＳが短く、その短辺ではアノード及びカソードの拡散層４、５までの距離ｔＬが長く（ｔＬ＞ｔＳ）に設定される。 - 特許庁
A P+-diffusion layer 10a as a base contact region for having a contact with the P-diffusion layer is formed at a prescribed distance (a) from the emitter region.例文帳に追加
ｐ拡散層７とコンタクトをとるためのベースコンタクト領域としてのｐ^+拡散層１０ａが、エミッタ領域と所定の距離ａを隔てて形成されている。 - 特許庁
The protection diode has a p-type diffusion layer 14 as an anode layer and a p-type diffusion layer 15 as a cathode layer, which is formed away therefrom at a prescribed distance.例文帳に追加
保護用ダイオードは、アノード層となるｐ型拡散層１４と、これから所定距離離れて形成されたカソード層となるｐ型拡散層１５とを有する。 - 特許庁
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