end oxidationとは 意味・読み方・使い方

An electric heater 8 for heating the oxidation catalyst 3 and enabled to control the temperature thereof is fitted to an end surface on an upstream side of the oxidation catalyst 3.例文帳に追加

酸化触媒３の上流側の端面には、酸化触媒３を加熱するための温度制御可能な電気ヒータ８が取り付けられている。 - 特許庁

To suppress abnormal growth due to oxidation of an end surface of an exposed core layer by suppressing the oxidation of the end surface in selective growth and eliminating the need to use a halogen-based gas before the selective growth.例文帳に追加

選択成長において、露出しているコア層の端面の酸化を抑制し、選択成長前にハリゲン系ガスを用いる必要をなくし、端面の酸化に起因する異常成長を抑制する。 - 特許庁

The exhaust pipe 2 is provided with a branch pipe 6 with its one end connected thereto on the upstream side of the oxidation catalyst 3 and a branch pipe 7 with its one end connected thereto between the oxidation catalyst 3 and the SCR catalyst 4.例文帳に追加

排気管２には、酸化触媒３の上流側で一端が接続された枝管６と、酸化触媒３とＳＣＲ触媒４との間で一端が接続された枝管７とが設けられている。 - 特許庁

In the process of carrying the oxidation catalyst, the part from the end face (B)29 of the honeycomb structure 2 to the position forming the oxidation area 4 is immersed in a dispersion liquid of the oxidation catalyst, and a part from the end face (A) 28 to the position forming the PM combustion area 3 is not immersed.例文帳に追加

酸化触媒担持工程においては、ハニカム構造体２の端面（Ｂ）２９から酸化領域４を形成する位置までを酸化触媒分散液に浸漬し、端面（Ａ）２８からＰＭ燃焼領域３を形成する位置までは浸漬させない。 - 特許庁

The temperature of the end cell 40 is promptly raised by heat generated by the oxidation of hydrogen.例文帳に追加

そして、水素の酸化によって発生した熱によって、端セル４０ｅの温度を速やかに上昇させる。 - 特許庁

Since the thermal oxidation film 3 serving as the end point of the through holes 52 is the interface of thermal oxidation, high sealing performance is ensured and side etching is blocked.例文帳に追加

その際、熱酸化膜３が貫通穴５２のエンドポイントとして働くが、その部分は熱酸化の界面であるため、シール性がよくサイドエッチ等が入ることはない。 - 特許庁

To provide a protective film material small in deterioration by oxidation as an end face protective film, and a structure of a protective film.例文帳に追加

端面保護膜として、酸化による劣化が少ない保護膜材料および保護膜の構成を提供する。 - 特許庁

Then, the oxidation of the silicon is expedited by the implanted fluorine, and only the end of the gate insulating film is made larger in thickness.例文帳に追加

このとき、注入されたフッ素によりシリコンの酸化が促進され、ゲート絶縁膜の端部のみが厚膜化する。 - 特許庁