etch stopとは 意味・読み方・使い方

Here, during etching the etch stop layer, the dielectric layer is covered.例文帳に追加

ここで、誘電体層はエッチング止め層のエッチングの間覆われている。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁

This is applicable to a BCETFT (back channel etch thin film transistor) device and an ESTFT (etch stop thin film transistor) device as well.例文帳に追加

これは、ＢＣＥＴＦＴ（バックチャンネルエッチ型薄膜トランジスタ）デバイスにもＥＳＴＦＴ（エッチストップ型薄膜トランジスタ）デバイスにも応用可能である。 - 特許庁

There is a strategic jump in germanium and concentration from the buffer side of the interface to the etch-stop material, such that the etch-stop layer is considerably more resistant to the etchant.例文帳に追加

界面のバッファサイドからエッチング停止物質にかけて、エッチング停止層がエッチング剤に対して非常に抵抗力があるように、ゲルマニウムおよび濃度において計画的な飛躍を行う。 - 特許庁

Also, the method for forming a via cavity in a double corrugated interconnecting structure includes forming an etch stop layer on the present interconnecting structure, forming a dielectric layer on the etch stop layer, etching a portion of the dielectric layer to form a via cavity therein, exposing a portion of the etch stop layer, and etching the etch stop layer to extend the via cavity.例文帳に追加

また、バイア空洞を二重波状形状相互接続構造に形成する方法は、現存の相互接続構造上にエッチング止め層を形成し、エッチング止め層上に誘電体層を形成し、誘電体層の一部分をエッチングしてバイア空洞を誘電体層に形成しエッチング止め層の一部分を露出し、エッチング止め層をエッチングしてバイア空洞を拡張することを含む。 - 特許庁

An etch stop layer 16 and silicon wafers 10, 12 forming an epitaxial layer 18 on it are provided.例文帳に追加

エッチストップ層１６と、その上にエピタキシャル層１８を作成したシリコンウエハ１０，１２を準備する。 - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF METAL COATED PART AND CONTACT STRUCTURE IN INTEGRATED CIRCUIT HAVING ETCH STOP LAYER例文帳に追加

エッチストップ層を具備した集積回路における金属被覆部およびコンタクト構造の製造方法 - 特許庁

The etch stop layer increases linearity of the FET and does not degrade the flow of electrons in the HBT.例文帳に追加

エッチストップ層はＦＥＴの線形性を増大させ、ＨＢＴの電子の流れを低下させない。 - 特許庁