etch systemとは 意味・読み方・使い方

METHODS AND APPARATUS FOR OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN PLASMA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加

プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法および装置 - 特許庁

A method of using a post-etch treatment system for removing photoresist remnants and etch residues formed during an etching process is described.例文帳に追加

エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。 - 特許庁

This allows the system to realize high resolution and etch the etched membranous portion into an excellent profile, and allows the system to etch the etched membranous portion into the excellent profile regardless of the thickness of an initial thin photoresist.例文帳に追加

これにより、高解像度と良好なプロファイルの被エッチング膜質のエッチングが可能であり、初期の薄いフォトレジストマスクの厚さに関係なく被エッチング膜質を良好なプロファイルにエッチングすることができる。 - 特許庁

To provide an SiGe etch-stop material system on a monocrystalline silicon substrate useful for aqueous anisotropic etchants.例文帳に追加

水性異方性エッチング剤に対して有用な、シリコン基板上のＳｉＧｅエッチング停止構造物を提供する。 - 特許庁

To provide a method of optimizing the etch resistance of a substrate material in a plasma processing system including a plasma processing chamber.例文帳に追加

プラズマ処理チャンバを含むプラズマ処理システムにおいて、基材のエッチングに対する耐性を最適化する方法を提供する。 - 特許庁

The SiGe etch-stop material system comprises a relaxed buffer layer graded up to Si_1-xGe_x and a relaxed uniform etch-stop layer of the Si_1-yGe_y, and it is preferable that x is equal to or smaller than 0.17 and y is equal to or greater than 0.3.例文帳に追加

ＳｉＧｅエッチング停止構造物が、Ｓｉ_１−ｘＧｅ_ｘまでの段階が設けられた弛緩されたバッファ層と、Ｓｉ_１−ｙＧｅ_ｙの弛緩された均質なエッチング停止層とを有しており、ｘ≦０．１７、ｙ≧０．３が好ましい。 - 特許庁

First etching gas is supplied into the reaction chamber and plasma is generated by discharge from the plasma etching system in order to etch the antireflection film 2.例文帳に追加

反応室内に第１のエッチングガスを供給し、プラズマエッチング装置からの放電によりプラズマを生成して反射防止膜２をエッチングする。 - 特許庁

When used with a dual beam system that provides the capability to etch a layer from the sample, the system can be used for three-dimensional x-ray mapping.例文帳に追加

エッチングによって試料から層を除去する能力を提供するデュアル・ビーム・システムとともに使用すると、本発明のシステムを、３次元Ｘ線マッピングに使用することができる。 - 特許庁