etch grooveとは 意味・読み方・使い方

The apparatus includes: a print roller device of a roll shape around which a blanket is wound; a spray device located around the print roller device for spraying an etch resist solution to the blanket; and a print plate of an engraved shape where a groove of a desired thin film shape and a projected part except the groove are formed, and the etch resist solution has a surfactant inclusive of an ethylene oxide fluorinated polymer material.例文帳に追加

本発明によるブランケットが巻回されたロール状の印刷ローラ装置と、前記印刷ローラ装置の周辺に位置し、前記ブランケットにエッチングレジスト溶液を噴射する噴射装置と、所望の薄膜状の溝と、前記溝を除いた突出部が形成された凹版印刷版とを備え、前記エッチングレジスト溶液は、エチレンオキサイドフルオリネートポリマー系物質を含む界面活性剤と、を含む。 - 特許庁

After etching the first mask 5 and the etch stopper film 3, a wiring groove 11 is formed on the second low dielectric constant film 4 by etching with the second and first masks 6, 5 as a mask, and a connecting hole 12 that is connected with the low layer wiring 1 is formed on the first low dielectric constant film 2 by etching with the etch stopper film 3 as a mask.例文帳に追加

第１のマスク５及びエッチストッパ膜３のエッチング後、第２及び第１のマスク６，５をマスクとしたエッチングにより第２の低誘電率膜４に配線溝１１を形成するとともに、エッチストッパ膜３をマスクとしたエッチングにより第１の低誘電率膜２に下層配線１と接続する接続孔１２を形成する。 - 特許庁

When insulting films 33 and 32 above a first layer wiring 26 wherein an air gap 28 is formed in a space area are etched to form a wiring groove 38, an alumina mask 34 whose selection ratio is large relative to the insulating films 33 and 32 is used to dry-etch the insulating films 32 and 33 and form the wiring groove 38 with high accuracy.例文帳に追加

スペース領域に空隙２８が形成された第１層配線２６の上部の絶縁膜３３、３２をエッチングして配線溝３８を形成する際、絶縁膜３３、３２に対する選択比が高いアルミナマスク３４を使って絶縁膜３３、３２をドライエッチングすることにより、配線溝３８を高い精度で形成する。 - 特許庁

The first resist pattern is used as an etching mask to etch the insulating film under the condition that deposits are formed on a width-direction center part of the plane pattern part, long in the one direction, of the first opening, thereby forming a first groove corresponding to the first opening.例文帳に追加

第１のレジストパターンをエッチングマスクとして、第１の開口の一方向に長い平面パターン部の幅方向の中央部に、堆積物が堆積する条件で、絶縁膜をエッチングすることによって、開口に対応する第１の溝を形成する。 - 特許庁

In the step of cutting the pair of the inorganic substrates 10, etching liquid 58 is allowed to flow into the flow path 56 with respect to an inorganic material to etch at least one of the surfaces of the pair of the inorganic substrates 10 along the flow path 56 to form a groove 60.例文帳に追加

一対の無機基板１０を切断する工程は、流路５６に無機材料に対するエッチング液５８を侵入させ、流路５６に沿って一対の無機基板１０の少なくとも一方の面をエッチングして溝６０を形成する。 - 特許庁

After a circular mask layer M2 having a diameter L3 smaller than the diameter of the mesa portion 18 enclosed with a groove portion 30 is disposed in a central region of the upper surface of the mesa portion 18D, the mask layer M2 is used as a mask to selectively etch a semiconductor stack structure 20D.例文帳に追加

溝部３０に囲まれたメサ部１８Ｄの直径よりも小さな直径Ｌ３の円形状のマスク層Ｍ２をメサ部１８Ｄの上面中央領域に配置したのち、マスク層Ｍ２をマスクとして、半導体積層構造２０Ｄを選択的にエッチングする。 - 特許庁

When etching to form a side wall spacer 19 consisting of a silicon oxide film on the side wall of a gate electrode 16, over-etching is applied more than normal to etch an SOI substrate 1, so that a forward taper (t_2) of at least preferably 40 nm, 70 nm or more is formed on the SOI substrate 1 at the upper end of an element separation groove 10.例文帳に追加

ゲート電極１６の側壁に酸化シリコン膜からなるサイドウォールスペーサ１９を形成するためのエッチングを行う際、オーバーエッチング量を通常よりも多めに実施することによって、ＳＯＩ基板１をエッチングし、素子分離溝１０の上端部のＳＯＩ基板１に４０ｎｍ以上、より好ましくは７０ｎｍ以上の順方向テーパ（ｔ_２）を形成する。 - 特許庁