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「etch in」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 354件
There is provided a method for performing a metallic etch, etch mask stripping, and removal of residual sidewall passivation in a single etch chamber.例文帳に追加
単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。 - 特許庁
In order to securely carry out an etch back, the reference edge is used in two etch back stages.例文帳に追加
エッチバックを確実に遂行するため、この基準エッジは、2つのエッチバック段階中に用いられる。 - 特許庁
Hydrogen iodide 64 is effective to etch the neodymium component in the alloy and chlorine 62 is effective to etch the aluminum component in the alloy.例文帳に追加
ヨウ化水素64は合金のネオジム成分をエッチングし、塩素62はアルミニウム成分をエッチングする。 - 特許庁
METHOD OF MEASURING ETCH PIT DENSITY IN SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL例文帳に追加
半導体単結晶におけるエッチピット密度の測定方法 - 特許庁
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「etch in」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 354件
Methods are provided for manufacturing optical display devices which remove an etch resist and residual post-etch metal in a single step.例文帳に追加
エッチングレジストとエッチング後の金属残渣を単一工程で除去する、光学ディスプレーデバイスの製造方法が提供される。 - 特許庁
Etch-back is executed by depositing polycrystalline silicon 16 in the trench.例文帳に追加
トレンチの内部に多結晶シリコン16を堆積してエッチバックを行う。 - 特許庁
METHODS AND APPARATUS FOR OPTIMIZATION OF ETCH RESISTANCE IN PLASMA PROCESSING SYSTEM例文帳に追加
プラズマ処理システムにおけるエッチング耐性を最適にする方法および装置 - 特許庁
METHOD FOR ADJUSTING CRITICAL DIMENSION UNIFORMITY IN ETCH PROCESS例文帳に追加
エッチング処理において限界寸法の均一性を調節するための方法 - 特許庁
To provide a method of etching on a processing platform (e.g. a cluster tool) in which robust pre-etch and post-etch data may be obtained in-situ.例文帳に追加
本発明は、粗いエッチング前及びエッチング後のデータがその場所で得られる処理台(例えば、クラスターツール)においてエッチングする方法を提供する。 - 特許庁
In addition, since the upper face of the p-AlInAs clad layer 7 is directly covered with the p-InGaAsP etch-stopper layer 8, the etching in forming the ridge can be stopped by the p-InGaAsP etch-stopper layer 8.例文帳に追加
加えて、p-AlInAsクラッド層7の直上に、p-InGaAsPエッチングストッパ層8を有するために、リッジ形成時のエッチングをp-InGaAsPエッチングストッパ層8で止めることができる。 - 特許庁
To provide a method for monitoring improved an etch process in manufacturing an integrated circuit.例文帳に追加
集積回路の製造において改善されたエッチング処理のモニタリング技術。 - 特許庁
The heavy metal contained in the etchant and adhered to the etch residues 1 is removed by removing the etch residues 1 from the silicon substrate.例文帳に追加
エッチング残り1がシリコン基板から除去されることにより、エッチング液に含まれエッチング残り1に付着していた重金属は除去される。 - 特許庁
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