ea nとは 意味・読み方・使い方

On an n type InP semiconductor substrate 101 whose surface azimuth is a (311) A plane, n type InP 102 and p type InP 105 are formed sandwiching MQW 103 for EA-MD between them, and a reverse electrode 108 for voltage application and an electrode 109 for EA-MD are provided.例文帳に追加

面方位が｛３１１｝Ａ面のｎ型ＩｎＰ半導体基板１０１の上にＥＡ−ＭＤ用ＭＱＷ１０３を挟み込んでｎ型ＩｎＰ１０２及びｐ型ＩｎＰ１０５を形成すると共に、電圧印加用の裏面電極１０８及びＥＡ−ＭＤ用電極１０９を設ける。 - 特許庁

An LD and an EA comprising an n-type lower side clad layer 12, a core layer 13, and a p-type upper side clad layer 14 are formed to an LD region and an EA region on an insulation board 11 with an isolation region inbetween.例文帳に追加

絶縁性の基板１１上に分離領域を挟んでＬＤ領域とＥＡ領域に、それぞれｎ型の下側クラッド層１２、コア層１３及びｐ型の上側クラッド層１４によるＬＤとＥＡを形成する。 - 特許庁

An encryption processing unit 22b encrypts the data N of the number of sheets, using the encryption keys KEa, KEb and KEc, to create encryption data Ea, Eb and Ec.例文帳に追加

暗号化処理部２２ｂは、暗号化鍵ＫＥａ、ＫＥｂ、ＫＥｃを用いて、枚数データＮを暗号化し、暗号化データＥａ、Ｅｂ、Ｅｃを作成する。 - 特許庁

A plurality of fine EA modulators 3 connected by optical waveguide core layers are scatteringly formed and a signal line electrode 12 connected to a metal electrode 7 and a ground line electrode 11 connected to an n type InP cladding layer 10 are formed with the fine EA modulators 3 sandwiched between the electrodes.例文帳に追加

光導波路コア層で連結された複数の微小ＥＡ変調器３を離散的に形成するとともに、金属電極７に接続されたシグナルライン電極１２およびｎ型ＩｎＰクラッド層１０に接続されたグランドライン電極１１を、微小ＥＡ変調器３を挟んで形成する。 - 特許庁

The non-doped InP layer 24 depletes this region, and moderates the electric field between the n-InP hole block layer 23 and the p-InP upper clad layer 25 in the EA optical modulator region 10B.例文帳に追加

ノンドープＩｎＰ層２４は、この領域を空乏化させ、ＥＡ光変調器領域１０Ｂにおける、ｎ−ＩｎＰホールブロック層２３とｐ−ＩｎＰ上部クラッド層２５との間の電界を緩和する。 - 特許庁

The energy monitor 1 previously stores and holds a monthly target saving setting value Eo of an energy consumption for electricity, gas and water in a consumption place, compares the monthly energy consumption Ea with the target saving setting value Eo, and counts the number of times N that a target is achieved wherein the energy consumption Ea becomes the target saving setting value Eo or below.例文帳に追加

エネルギーモニター１は、消費場所における電気、ガスおよび水道について、月毎のエネルギー使用量の節約目標設定値Ｅｏを予め記憶保持し、毎月のエネルギー使用量Ｅａを節約目標設定値Ｅｏと比較し、エネルギー使用量Ｅａが節約目標設定値Ｅｏ以下となった目標達成回数Ｎをカウントする。 - 特許庁

In the partial area of the first main surface EA, a notched section JK is formed in the semiconductor laminate 50, by notching the laminate 50 to its halfway in the thickness direction rather positioned on the second main surface side of the laminate 50 than the boundary of the p-n junction of the light-emitting layer 24.例文帳に追加

該第一主表面ＥＡの一部領域において半導体積層体５０は、発光層部２４のｐ−ｎ接合境界よりも第二主表面側に位置する厚さ方向途中位置まで切り欠かれることにより切欠部ＪＫが形成される。 - 特許庁