「gate oxidation」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

METHOD OF MANUFACTURING SPLIT-GATE FLASH MEMORY CELL USING SPACER OXIDATION PROCESS例文帳に追加

スペーサー酸化工程を利用する分離ゲートフラッシュメモリセル製造方法 - 特許庁

To efficiently perform a thick gate oxidation, when plural gate oxide films having different thicknesses are formed by a one-time thermal oxidation treatment.例文帳に追加

厚さを異にする複数のゲート酸化膜を１回の熱酸化処理により形成する際に厚いゲート酸化を効率的に行なう。 - 特許庁

Then, by the RIE, after a trench for a trench gate is formed, sacrificial oxidation and gate one are carried out.例文帳に追加

次に、ＲＩＥにより、トレンチゲートのためのトレンチを形成した後、犠牲酸化及びゲート酸化を行う。 - 特許庁

Since oxidation of the polysilicon upon the selective oxidation can be suppressed, variations in the thickness of the gate oxide film can be suppressed.例文帳に追加

選択酸化時のポリシリコンの酸化を抑制することで、ゲート酸化膜厚のばらつきを抑える事ができる。 - 特許庁

The plasma oxidation shortens ingress distance of oxidized species, and controls oxidation of a polysilicon film and a gate insulating film.例文帳に追加

プラズマ酸化により酸化種の侵入距離を短くし、ポリシリコン膜やゲート絶縁膜の酸化を抑制する。 - 特許庁

To disclose a single tunnel gate oxidation method for fabricating a NAND memory string where a gate oxide (24) of select transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタと浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物（２４）を単一の酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を開示する。 - 特許庁

To provide a single tunnel gate oxidation process for fabricating NAND memory strings in which gate oxide of the selection transistor and floating gate memory transistor is fabricated in a single oxidation step.例文帳に追加

選択トランジスタ及び浮遊ゲート・メモリ・トランジスタのゲート酸化物を１つの酸化工程で製造する、ＮＡＮＤメモリ・ストリングを製造するための単一トンネル・ゲート酸化方法を提供する。 - 特許庁

To suppress the oxidation of a gate electrode due to the diffusion of an oxidizing agent during annealing.例文帳に追加

アニール時の酸化剤の拡散によるゲート電極の酸化を抑制する。 - 特許庁

The gate insulating film is formed by a thermal oxidation method by using dry oxygen.例文帳に追加

また、ゲート絶縁膜を乾燥酸素を用いた熱酸化法で形成する。 - 特許庁

Subsequently, gate oxidation is performed and a gate insulation film 5a is formed on the sidewall of the trench 4 and a gate insulation film 5b thicker than the gate insulation film 5a is formed on the bottom face of the trench 4.例文帳に追加

その後、ゲート酸化を行い、トレンチ４の側壁にゲート絶縁膜５ａを、トレンチ４の底面にゲート絶縁膜５ａより厚いゲート絶縁膜５ｂを形成する。 - 特許庁

Gate oxidation is carried out using radical oxygen when forming a gate insulation film 7 on the silicon substrate having the off angle.例文帳に追加

オフ角を有するシリコン基板にゲート絶縁膜７を形成する際にゲート酸化をラジカル酸素により行う。 - 特許庁

Then, after oxidation is performed to form a gate after oxide film over the entire surface.例文帳に追加

その後、後酸化が行われ、全面にゲート後酸化膜２８が形成される。 - 特許庁

A low voltage gate insulation film, namely, a second gate oxidation film thinner than the first gate oxidation film is selectively formed on the second area of the cell array area and a part of the peripheral circuit area.例文帳に追加

セルアレイ領域の第２領域及び周辺回路領域の一部分上に選択的に第１ゲート酸化膜より薄い低電圧ゲート絶縁膜、即ち第２ゲート酸化膜を形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a semiconductor device having the gate electrodes containing high melting point metal as material, comprises a step of carrying out initial oxidation of oxidation at a prescribed temperature, for forming an oxide film for covering the side face of the exposed gate electrodes after forming the gate electrodes; and a step of additional oxidation of oxidation at higher temperature than the initial oxidation after the initial oxidation.例文帳に追加

高融点金属を材料に含むゲート電極を有する半導体装置の製造方法であって、ゲート電極を形成した後、露出したゲート電極の側面を覆うための酸化膜を形成するために所定の温度で酸化する初期酸化を行うステップと、初期酸化の後、初期酸化よりも高温で酸化する追加酸化を行うステップとを有するものである。 - 特許庁

A gate insulating film 33 in the memory cell formation region 25 is made thin, and its peripheral gate oxidation film 34 is made thick.例文帳に追加

メモリセル形成領域２５のゲート絶縁膜３３は薄く、その周辺のゲート酸化膜３４は厚く形成されている。 - 特許庁

Accordingly, the control metal gate 125an can be prevented from oxidation by an oxidation process or an oxide and the like.例文帳に追加

これにより、制御金属ゲート１２５ａｎが酸化工程又は酸化物等によって酸化されることを防止することができる。 - 特許庁

Also, oxidation after the gate insulation film other than the area under the electrode is formed through high-temperature wet oxidation.例文帳に追加

また、上記電極下以外のゲート絶縁膜を除去した後の酸化は、高温のウェット酸化で行うことを特徴としている。 - 特許庁

To provide a semiconductor element having a metal gate pattern to which a selective oxidation process is applied.例文帳に追加

選択的酸化工程を含む金属ゲートパターンを有する半導体素子を提供する。 - 特許庁

For example, arrays of the oxidation regions can be located under the gate crossing region arrays, respectively.例文帳に追加

例えば、酸化領域のアレイは、ゲート交差領域アレイの下部各々に位置しうる。 - 特許庁

Next, a gate oxide film 24 is formed on the wall surface of the trench 21 by thermal oxidation treatment.例文帳に追加

次に，ゲートトレンチ２１の壁面に熱酸化処理によりゲート酸化膜２４を形成する。 - 特許庁

After the mask member 12 is removed, a gate insulating film 16 is formed through a process of thermal oxidation.例文帳に追加

マスク部材１２除去後、熱酸化の工程を経てゲート絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁

The method also comprises steps of removing the film 7, and forming a gate insulating film by a thermal oxidation method.例文帳に追加

次に、絶縁膜７を除去し、熱酸化法によりゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

Then, the surface of the gate electrode 8 is covered with an oxidation resistant W film 28.例文帳に追加

そして、ゲート電極８の表面は、耐酸化性のＷ膜２８により被覆されている。 - 特許庁

To control oxidation of polysilicon composing a gate electrode in wet atmosphere.例文帳に追加

ゲート電極を構成するためのポリシリコンがウェット雰囲気にて酸化されることを抑制する。 - 特許庁

A silicon oxidation film 7 is deposited on only the side of a silicon nitriding film 6 of a peripheral area, a first gate material 5 and a gate oxidation film 4, and next the silicon oxidation films 6, 7 form a trench 9 as a mask to remove the silicon oxidation film 7.例文帳に追加

周辺領域のシリコン窒化膜６、第１のゲート材５、ゲート酸化膜４の側面上のみにシリコン酸化膜７を堆積し、次いでこのシリコン酸化膜７及びシリコン窒化膜６をマスクとしてトレンチ９を形成し、シリコン酸化膜７を除去する。 - 特許庁

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁

For reducing gate capacitance, at least one oxidation region can be formed at the substrate under the mesh-type gate electrode.例文帳に追加

ゲートキャパシタンスを減少させるために、メッシュ型のゲート電極の下部の基板に少なくとも一つの酸化領域を形成できる。 - 特許庁

Subsequently, an interlayer insulating film 108 is formed on the first gate electrode by thermal oxidation and a second gate electrode is formed.例文帳に追加

そして、熱酸化によって第１ゲート電極上に層間絶縁膜１０８を形成した後、第２ゲート電極を形成する。 - 特許庁

Word lines WL and N^+ polycrystalline silicon films 16 acting as gate electrodes are formed on the gate insulating film GD, an oxidation-resistant insulating film 6 and an oxidation-resistant insulating film 12.例文帳に追加

ゲート絶縁膜ＧＤ、耐酸化性絶縁膜６、及び耐酸化性絶縁膜１２上には、ワード線ＷＬ及びゲート電極としてのＮ^＋多結晶シリコン膜１６が形成される。 - 特許庁

As a result, the film thickness of a floating gate oxidation film 8a formed in the memory cell region M is smaller than that of a gate oxidation film 10 formed in the peripheral circuit region P.例文帳に追加

その結果、メモリセル領域Ｍに形成されるフローティングゲート酸化膜８ａの膜厚は、周辺回路領域Ｐに形成されるゲート酸化膜１０の膜厚よりも薄くなる。 - 特許庁

Therefore, when the silicon oxidation film 6 of the peripheral area, the first gate material 5 and the gate oxidation film 4 are removed by wet etching, the etching solution is prevented from entering between the silicon oxidation film 10 and the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

したがって、周辺領域のシリコン窒化膜６、第１のゲート材５、ゲート酸化膜４をウェットエッチングにより除去する際、エッチング溶液がシリコン酸化膜１０と半導体基板１との間に入り込むことを防ぐことができる。 - 特許庁

To improve a transistor-driving capability by inhibiting oxidation layer formation on a sidewall of the metal gate electrode in a MOS transistor structure having a high dielectric gate insulating film/metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電体ゲート絶縁膜／メタルゲート電極のＭＯＳトランジスタ構造において、メタルゲート電極側壁の酸化層を抑制し、トランジスタ駆動能力を改善する。 - 特許庁

Gate insulating films 5a and 5b are formed on the surface of a silicon carbide epitaxial layer 3 through a thermal oxidation treatment, and gate insulating films 7a and 7b are formed on the surfaces of gate electrodes 6a and 6b respectively through a thermal oxidation treatment.例文帳に追加

炭化珪素エピタキシャル層３表面に熱酸化処理を施すことによりゲート絶縁膜５ａ，５ｂを形成し、ゲート電極６ａ，６ｂ表面に熱酸化処理を施すことによりゲート絶縁膜７ａ，７ｂを形成する。 - 特許庁

An RTO (rapid thermal oxidation) film 11 is formed along a control gate electrode CG, insulating film 7 between gates and the sidewall of a floating gate electrode FG.例文帳に追加

ＲＴＯ膜１１が、制御ゲート電極ＣＧ、ゲート間絶縁膜７、浮遊ゲート電極ＦＧの側壁に沿って形成されている。 - 特許庁

To realize a titanium polycide gate electrode formation method which can improve the particle problem and the gate abnormal oxidation phenomenon at the same time.例文帳に追加

本発明は、パティクル問題とゲート異常酸化現象を同時に改善できるチタンポリサイドゲート電極形成方法を提供する。 - 特許庁

To keep the parasitic capacitance of a MOSFET from increasing while avoiding oxidation of a metal gate electrode.例文帳に追加

メタルゲート電極の酸化を抑制しつつ、ＭＯＳＦＥＴの寄生容量の増大を抑制する。 - 特許庁

After a pretreatment is conducted, a gate insulating film 32 for the core part is formed on the core part through thermal oxidation (a).例文帳に追加

前処理をおこなった後、熱酸化によりコア部用のゲート絶縁膜３２を形成する（ａ）。 - 特許庁

Gate electrodes 122A, 124A and 129A are formed on the thermal oxidation film 160.例文帳に追加

熱酸化膜１６０の上に、ゲート電極１２２Ａ，１２４Ａ、および１２９Ａが形成されている。 - 特許庁

To provide a high-reliability semiconductor device which can reduce the convergence of an electric field on a gate edge without subjecting the gate edge to rounding oxidation, even when the gate insulating film of an MOSFET is formed of such a material that the gate edge can not be subjected to the rounding oxidation because of the limitations of heat resistance and oxidation resistance, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴのゲート絶縁膜を耐熱性、耐酸化性の制限によりゲートエッジの丸め酸化を行うことができない材料で形成した場合でも、ゲートエッジの丸め酸化を行うことなく、ゲートエッジでの電界集中を緩和することができ、高い信頼性のある半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Otherwise a gate insulating film of MISFETQs forming a light oxidation film 11a on the side wall of a gate electrode G is formed so that a ratio of the film thickness of a gate insulating film under the end of the gate electrode to the film thickness of the gate insulating film under the center part of the gate electrode is 1.15 or greater.例文帳に追加

もしくは、ゲート電極Ｇの側壁にライト酸化膜１１ａが形成されたＭＩＳＦＥＴＱｓのゲート絶縁膜を、ゲート電極の中央部の下のゲート絶縁膜の膜厚に対する、ゲート電極の端部下のゲート絶縁膜の膜厚の比が、１．１５以となるよう形成する。 - 特許庁

To control the oxidation rate by low-temperature oxidation and also to form a gate oxide film being an ultrathin film with few interfacial levels.例文帳に追加

低温酸化により酸化速度を制御できるようにするとともに、界面準位の少ない極薄膜のゲート酸化膜を形成できるようにする。 - 特許庁

A cell gate insulation film comprising a tunnel oxidation film, a silicon nitride film and an upper oxidation film stacked successively on the whole face of a semiconductor substrate is formed.例文帳に追加

半導体基板全面に順次にスタックされたトンネル酸化膜、シリコン窒化膜及び上部酸化膜からなったセルゲート絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To suppress the crystallization of a high dielectric gate insulating film when repairing damage to a metallic gate electrode (metal electrode) by thermal oxidation.例文帳に追加

金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。 - 特許庁

An unnecessary layer formed in a part where a gate insulating layer 8 is formed is removed, and the gate insulating layer 8 is formed by the thermal oxidation method.例文帳に追加

その後、ゲート絶縁層８を形成する部分に形成された余分な層を除去し、熱酸化法によりゲート絶縁層８を形成する。 - 特許庁

Each material of a floating gate 3, a first insulation film 7 and a control gate 8 is formed on a tunnel oxidation film 2 in a laminated state.例文帳に追加

トンネル酸化膜２上に浮遊ゲート３、第１の絶縁膜７、制御ゲート８の各材料をこの順に積層状態に形成する。 - 特許庁