inter-diffusionとは 意味・読み方・使い方

An inter-layer insulation film is formed on the semiconductor substrate 1, and a connection hole reaching the source/drain diffusion layer 15 is formed in the inter-layer insulation film by etching wherein the first sidewall 11a is used as a stopper.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 - 特許庁

To suppress variations of the threshold voltage of a transistor caused by an inter-diffusion of impurities between both gate electrodes in a dual gate electrode structure.例文帳に追加

デュアルゲート電極構造における両ゲ−ト電極間の不純物の相互拡散によるトランジスタのしきい値電圧の変動を抑制する。 - 特許庁

Then, a film (the diffusion preventing film 8) having compression stress is formed on the first inter-layer insulation film 2 so as to cover the embedded wiring 7.例文帳に追加

次に、埋め込み配線７を覆うように、第一の層間絶縁膜上２に圧縮応力を有する膜（拡散防止膜８）を形成する。 - 特許庁

After a second inter-layer insulation film 120 is formed on the capacity upper electrode 119, a third plug 121 for connecting the impurity diffusion layer 111 and upper layer wiring 122 is formed on the respective inter-layer insulation films.例文帳に追加

容量上部電極１１９の上に第２の層間絶縁膜１２０を形成した後、各層間絶縁膜に、不純物拡散層１１１と上層配線１２２とを接続する第３のプラグ１２１を形成する。 - 特許庁

Further, the diffusion of Na can be prevented by using an Al based material for the wiring material and SiN for the inter-layer insulation layer.例文帳に追加

さらに、配線材料にＡｌ系材料を用い、さらに層間絶縁層にＳｉＮを用いることによりＮａの拡散を防止することができる。 - 特許庁

To realize laminated ceramic electronic parts for reducing inter-diffusion areas, and for improving the flexibility of design without damaging bonding strength on an interface.例文帳に追加

界面における接合強度を損なうことなく、相互拡散領域を低減し、設計の融通性を向上させることができる積層セラミック電子部品を実現する。 - 特許庁

First and second control gates CG driving the floating gate through an inter-gate insulating film IGI are formed on both sides of the floating gate, which correspond to the diffusion layers.例文帳に追加

両拡散層に対応した浮遊ゲートの両側にゲート間絶縁膜ＩＧＩを介して浮遊ゲートを駆動する第１、第２の制御ゲートＣＧが形成されている。 - 特許庁

The maximum of carbon element concentration in the carbon accumulation region 10 is provided in a region of 2 nm from an interface between the n-type diffusion layer 7 and the inter-cell insulating film 9.例文帳に追加

この炭素蓄積領域１０における炭素元素濃度の最大がｎ型拡散層７とセル間絶縁膜９との界面から２ｎｍの領域に設けられている。 - 特許庁