interdiffusionとは 意味・読み方・使い方

A heat treatment is carried out to replace the amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.例文帳に追加

そして、熱処理を行い、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを相互拡散させ、非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁

The complex magnetic material comprises ferrite-coated magnetic metal particles having boundary layers formed by atomic interdiffusion along the boundaries between the magnetic metal particles and the ferrite coating.例文帳に追加

金属磁性粒子とフェライト被膜の境界に原子の相互拡散により形成された界面層を有するフェライト被覆金属磁性粒子からなる複合磁性材料。 - 特許庁

To provide an optical semiconductor device in which the interdiffusion of a p-type dopant and an iron atom is reduced and to provide a method of manufacturing this optical semiconductor device.例文帳に追加

ｐ型ドーパントおよび鉄原子の相互拡散が低減される光半導体デバイス、およびこの光半導体デバイスを製造する方法を提供することとしている。 - 特許庁

To provide a semiconductor optical element including a buried layer formed stably and having high resistance while suppressing interdiffusion with Zn contained in a mesa stripe structure; and to provide a method for manufacturing the semiconductor optical element.例文帳に追加

メサストライプ構造に含まれるＺｎとの相互拡散を抑制しつつ、安定的に形成される高抵抗な埋め込み層を備える半導体光素子、及び、その製造方法の提供。 - 特許庁

To restrain the interdiffusion of dopant in gate electrodes near the border of an n-channel MISFET and a p-channel MISFET which adopt polycide-dual gate structure.例文帳に追加

ポリサイド−デュアルゲート構造を採用するｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴとｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの境界付近におけるゲート電極中の不純物の相互拡散を抑制する。 - 特許庁

To disclose a method for decreasing the diffusion of dopant atoms in the active region of optoelectronic devices as well as the interdiffusion of different types of dopant atoms among adjacent doped regions.例文帳に追加

光電装置の活性領域におけるドーパント原子の拡散と、隣接するドープ領域間の異なる形式のドーパント原子の相互拡散とを減少する方法を開示する。 - 特許庁

Therefore, even if a high temperature heat treatment is applied to have it stably exist at an interface with zirconia, interdiffusion with the electrolyte 2 hardly occurs, and a non-conductive phase such as of pyrochroite is not generated.例文帳に追加

したがって、ジルコニアとの界面に安定に存在させるために高温の熱処理を行っても、電解質２との間で相互拡散が殆ど生じず、パイロクロアなどの不導体相などが生成されない。 - 特許庁

Since interdiffusion occurs between the sealing material 4 and the coating layer 5b, they can be connected easily by resistance welding, thereby the sealing lead wire 3 is improved in connection strength.例文帳に追加

封着材４と被覆層５ｂとの間で相互拡散が発生するので、抵抗溶接によって容易に接続することが可能で接続強度を向上させた封着用リード線３を提供できる。 - 特許庁